Substrat Silikon Karbida|Wafer SiC

Substrat Silikon Karbida|Gambar Unggulan Wafer SiC

Deskripsi Singkat:

WeiTai Energy Technology Co, Ltd adalah pemasok terkemuka yang berspesialisasi dalam wafer dan bahan habis pakai semikonduktor canggih.Kami berdedikasi untuk menyediakan produk berkualitas tinggi, andal, dan inovatif untuk manufaktur semikonduktor, industri fotovoltaik, dan bidang terkait lainnya.

Lini produk kami mencakup produk grafit berlapis SiC/TaC dan produk keramik, yang mencakup berbagai bahan seperti silikon karbida, silikon nitrida, dan aluminium oksida, dan lain-lain.

Saat ini, kami adalah satu-satunya produsen yang memberikan kemurnian lapisan SiC 99,9999% dan silikon karbida rekristalisasi 99,9%.Panjang pelapisan SiC maksimal yang dapat kami lakukan adalah 2640mm.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Bahan kristal tunggal silikon karbida (SiC) memiliki lebar celah pita yang besar (~Si 3 kali), konduktivitas termal yang tinggi (~Si 3,3 kali atau GaAs 10 kali), laju migrasi saturasi elektron yang tinggi (~Si 2,5 kali), kerusakan listrik yang tinggi bidang (~Si 10 kali atau GaAs 5 kali) dan karakteristik luar biasa lainnya.

Perangkat SiC memiliki keunggulan yang tak tergantikan di bidang suhu tinggi, tekanan tinggi, frekuensi tinggi, perangkat elektronik berdaya tinggi, dan aplikasi lingkungan ekstrem seperti dirgantara, militer, energi nuklir, dll., menggantikan cacat perangkat material semikonduktor tradisional dalam praktiknya. aplikasi, dan secara bertahap menjadi arus utama semikonduktor daya.

Spesifikasi substrat silikon karbida 4H-SiC

Barang	Spesifikasi参数
Politipe 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Diameter 晶圆直径	2 inci \|3 inci \|4 inci \|6 inci	2 inci \|3 inci \|4 inci \|6 inci
Ketebalan 厚度	330 mikron ~ 350 mikron	330 mikron ~ 350 mikron
Daya konduksi 导电类型	N – tipe / Semi-isolasi N型导 foto/ foto	N – tipe / Semi-isolasi N型导 foto/ foto
Dopan 掺杂剂	N2 ( Nitrogen )V ( Vanadium )	N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium )
Orientasi 晶向	Pada sumbu <0001> Mati sumbu <0001> mati 4°	Pada sumbu <0001> Mati sumbu <0001> mati 4°
Resistivitas 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4HN)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6HN)
Kepadatan Mikropipa (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TV 总厚度变化	≤ 15 mikron	≤ 15 mikron
Busur / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Permukaan 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Nilai 产品 foto	Kelas Produksi / Penelitian	Kelas Produksi / Penelitian
Urutan Penumpukan Kristal 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parameter kisi 晶格参数	a=3,076A , c=10,053A	a=3,073A , c=15,117A
Misalnya/eV(celah pita) 带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε (Konstanta Dielektrik) 介电常数	9.6	9.66
Indeks Refraksi 折射率	n0 =2,719 dan =2,777	n0 =2,707 , ne =2,755

Spesifikasi substrat Silikon Karbida 6H-SiC

Barang	Spesifikasi参数
Politipe 晶型	6H-SiC
Diameter 晶圆直径	4 inci \|6 inci
Ketebalan 厚度	350μm ~ 450μm
Daya konduksi 导电类型	N – tipe / Semi-isolasi N型导 foto/ foto
Dopan 掺杂剂	N2( Nitrogen ) V ( Vanadium )
Orientasi 晶向	<0001> turun 4°± 0,5°
Resistivitas 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (Tipe 6H-N)
Kepadatan Mikropipa (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TV 总厚度变化	≤ 15 mikron
Busur / Warp 翘曲度	≤25 μm
Permukaan 表面处理	Si Wajah: CMP, Epi-Siap C Wajah: Poles Optik
Nilai 产品 foto	Kelas penelitian