Wafer GaAs|Wafer Epi GaAs|Substrat Gallium Arsenida

Wafer GaAs|Wafer Epi GaAs|Gambar Unggulan Substrat Gallium Arsenide

Deskripsi Singkat:

WeiTai Energy Technology Co, Ltd adalah pemasok terkemuka yang berspesialisasi dalam wafer dan bahan habis pakai semikonduktor canggih.Kami berdedikasi untuk menyediakan produk berkualitas tinggi, andal, dan inovatif untuk manufaktur semikonduktor, industri fotovoltaik, dan bidang terkait lainnya.

Lini produk kami mencakup produk grafit berlapis SiC/TaC dan produk keramik, yang mencakup berbagai bahan seperti silikon karbida, silikon nitrida, dan aluminium oksida, dan lain-lain.

Saat ini, kami adalah satu-satunya produsen yang memberikan kemurnian lapisan SiC 99,9999% dan silikon karbida rekristalisasi 99,9%.Panjang pelapisan SiC maksimal yang dapat kami lakukan adalah 2640mm.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Substrat GaAs dibagi menjadi konduktif dan semi-isolasi, yang banyak digunakan dalam laser (LD), dioda pemancar cahaya (LED) semikonduktor, laser inframerah dekat, laser daya tinggi sumur kuantum, dan panel surya efisiensi tinggi.Chip HEMT dan HBT untuk radar, gelombang mikro, gelombang milimeter atau komputer berkecepatan sangat tinggi dan komunikasi optik;Perangkat frekuensi radio untuk komunikasi nirkabel, 4G, 5G, komunikasi satelit, WLAN.

Baru-baru ini, substrat galium arsenida juga mengalami kemajuan besar dalam mini-LED, Micro-LED, dan LED merah, dan banyak digunakan pada perangkat wearable AR/VR.

Diameter 晶片直径	50mm \|75mm \|100mm \|150mm
Metode Pertumbuhan 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Ketebalan Wafer 厚度	350 mm ~ 625 mm
Orientasi 晶向	<100> / <111> / <110> atau lainnya
Tipe Konduktif 导电类型	P – tipe / N – tipe / Semi isolasi
Tipe/Dopan 掺杂剂	Zn / Si / dibatalkan
Konsentrasi Pembawa 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Resistivitas di RT 室温电阻率(ohm·cm)	≥1E7 untuk SI
Mobilitas 迁移率(cm2/V•Dtk)	≥4000
EPD (Kepadatan Lubang Etsa) 腐蚀坑密度	100~1E5
TV 总厚度变化	≤ 10 mm
Busur / Warp 翘曲度	≤ 20 mm
Permukaan Selesai itu	DSP/SSP
Tanda Laser 激光码
Nilai 等级	Kelas epi dipoles / kelas mekanis