Bagian Epitaksi MOCVD

Proses pelapisan SiC untuk pembawa grafit berlapis SiC berbasis grafit
Epitaksi GaN berbasis silikon
Disk epitaksi silikon monokristalin berlapis SiC semikonduktor
Susceptor Grafit dengan Lapisan Silikon Karbida, Pembawa wafer 8 inci
19 buah suku cadang peralatan MOCVD berbasis grafit 2 inci
Susceptor Grafit dengan Lapisan Silikon Karbida, 6 buah wafer Carrier 6 inci
Cakram Silikon Karbida untuk MOCVD
Baki MOCVD berlapis SiC dengan kemurnian tinggi anti-oksidasi
41 buah suku cadang peralatan MOCVD dasar grafit 4 inci
36 buah suku cadang peralatan MOCVD berbasis grafit 4 inci
Epitaksi LED biru/hijau