Metode PART/1CVD (Deposisi Uap Kimia):Pada 900-2300℃, menggunakan TaCl5 dan CnHm sebagai tantalum dan sumber karbon, H₂ sebagai atmosfer pereduksi, gas pembawa Ar₂as, film pengendapan reaksi.Lapisan yang disiapkan kompak, seragam dan kemurniannya tinggi.Namun, ada beberapa masalah...
Baca selengkapnya