Susceptor Grafit dengan Lapisan Silikon Karbida Pembawa wafer 8 inci

Lapisan CVD-SiCmemiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
 
Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun,lapisan SiCdapat menjaga stabilitas fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Ini banyak digunakan dalam industri modern, terutama di industri semikonduktor.