Keterangan
Lapisan CVD-SiCmemiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun,lapisan SiCdapat menjaga stabilitas fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Ini banyak digunakan dalam industri modern, terutama di industri semikonduktor.
Fitur Utama
1. Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
2. Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
3. BaikDilapisi kristal SiCuntuk permukaan yang halus
4. Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kepadatan | (g/cc) | 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa) | 470 |
| Ekspansi termal | (10-6/K) | 4 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
Pengepakan dan Pengiriman
Kemampuan Pasokan:
10000 Potongan/potongan per Bulan
Pengemasan & Pengiriman:
Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
Polybag + Kotak + Karton + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Waktu Pimpin:
| Jumlah (Potongan) | 1 – 1000 | >1000 |
| Perkiraan. Waktu (hari) | 30 | Untuk dinegosiasikan |
