Keterangan
Lapisan CVD-SiC memiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun lapisan SiC dapat menjaga kestabilan fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Hal ini banyak digunakan dalam industri modern, khususnya industri semikonduktor.
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi kompak, bebas Porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi dan tahan oksidasi.
Aplikasi
Fitur utama
1. Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
2. Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
3. Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan yang halus
4. Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC
| SiC-CVD | ||
| Kepadatan | (g/cc) | 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa) | 470 |
| Ekspansi termal | (10-6/K) | 4 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
Pengepakan dan Pengiriman
Kemampuan Pasokan:
10000 Potongan/potongan per Bulan
Pengemasan & Pengiriman:
Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
Polybag + Kotak + Karton + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Waktu Pimpin:
| Jumlah (Potongan) | 1 – 1000 | >1000 |
| Est.Waktu (hari) | 15 | Untuk dinegosiasikan |
