milik Semiceradayung SiCdirancang untuk ekspansi termal minimal, memberikan stabilitas dan presisi dalam proses yang mengutamakan akurasi dimensi. Hal ini menjadikannya ideal untuk aplikasi di mana punwafermengalami siklus pemanasan dan pendinginan berulang, karena perahu wafer mempertahankan integritas strukturalnya, memastikan kinerja yang konsisten.
Menggabungkan Semiceradayung difusi silikon karbidake dalam lini produksi Anda akan meningkatkan keandalan proses Anda, berkat sifat termal dan kimianya yang unggul. Dayung ini sempurna untuk proses difusi, oksidasi, dan anil, memastikan wafer ditangani dengan hati-hati dan presisi di setiap langkah.
Inovasi adalah inti dari Semiceradayung SiCdesain. Dayung ini dirancang agar pas dengan peralatan semikonduktor yang ada, sehingga memberikan peningkatan efisiensi penanganan. Struktur ringan dan desain ergonomis tidak hanya meningkatkan transportasi wafer namun juga mengurangi waktu henti operasional, sehingga menghasilkan produksi yang efisien.
| Sifat fisik Silikon Karbida Rekristalisasi | |
| Milik | Nilai Khas |
| Suhu kerja (°C) | 1600°C (dengan oksigen), 1700°C (mengurangi lingkungan) |
| konten SiC | > 99,96% |
| Konten Si gratis | < 0,1% |
| Kepadatan massal | 2,60-2,70 gram/cm3 |
| Porositas yang tampak | < 16% |
| Kekuatan kompresi | > 600MPa |
| Kekuatan lentur dingin | 80-90 MPa (20°C) |
| Kekuatan lentur panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ekspansi termal @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Konduktivitas termal @1200°C | 23 W/m·K |
| Modulus elastis | 240 IPK |
| Ketahanan terhadap guncangan termal | Sangat bagus |
