Wafer SOI

Deskripsi Singkat:

Wafer SOI adalah struktur seperti sandwich dengan tiga lapisan;Termasuk lapisan atas (lapisan perangkat), lapisan tengah oksigen yang terkubur (untuk lapisan isolasi SiO2) dan substrat bawah (silikon curah).Wafer SOI diproduksi menggunakan metode SIMOX dan teknologi pengikatan wafer, yang memungkinkan lapisan perangkat lebih tipis dan akurat, ketebalan seragam, dan kepadatan cacat rendah.

Kirim email ke kami

Rincian produk

Label Produk

Wafer SOI(1)

Bidang aplikasi

1. Sirkuit terpadu berkecepatan tinggi

2. Perangkat gelombang mikro

3. Sirkuit terpadu suhu tinggi

4. Perangkat listrik

5. Sirkuit terpadu berdaya rendah

6. MEMS

7. Sirkuit terpadu tegangan rendah

Barang		Argumen
Keseluruhan	Diameter Wafer 晶圆尺寸(mm)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	Busur/Warp 翘曲度(	<10um
	Partikel 颗粒度(	0,3um<30ea
	Flat / Takik 定位边/定位槽	Datar atau Takik
	Pengecualian Tepi ukuran diameter (mm)	/
Lapisan Perangkat 器件层	Tipe/Dopan Lapisan Perangkat 器件层掺杂类型	Tipe-N/Tipe-P B/ P/ Sb / Sebagai
	Orientasi lapisan perangkat 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Ketebalan Lapisan Perangkat 器件层厚度(um)	0,1~300um
	Resistivitas lapisan perangkat 器件层电阻率(ohm•cm)	0,001~100.000 ohm-cm
	Partikel lapisan perangkat 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	TTV Lapisan Perangkat 器件层TTV(	<10um
	Lapisan Perangkat Selesai 器件层表面处理	Dipoles
KOTAK	Ketebalan Oksida Termal Terkubur 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å)~15um
Menangani Lapisan itu	Menangani Jenis Wafer/Dopan 衬底层类型	Tipe-N/Tipe-P B/ P/ Sb / Sebagai
	Menangani Orientasi Wafer 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Menangani Resistivitas Wafer 衬底电阻率(ohm•cm)	0,001~100.000 ohm-cm
	Tangani Ketebalan Wafer 衬底厚度(um)	>100um
	Tangani Selesai Wafer 衬底表面处理	Dipoles
Wafer SOI dengan spesifikasi target dapat disesuaikan dengan kebutuhan pelanggan.