Perusahaan kami menyediakanlapisan SiClayanan proses pada permukaan grafit, keramik dan bahan lainnya dengan metode CVD, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon dapat bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul Sic dengan kemurnian tinggi, yang dapat diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi untuk membentuk aLapisan pelindung SiCuntuk epitaksi tipe barel hy pnotic.
Fitur utama:
1. Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
2. Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
3. BaikDilapisi kristal SiCuntuk permukaan yang halus
4. Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama dariLapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur kristal | Fase FCC β | |
| Kepadatan | gram/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran butir | m | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Felekural | MPa (RT 4 poin) | 415 |
| Modulus Muda | IPK (tikungan 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ekspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
-
Pengangkut perahu kristal silikon karbida dengan kemurnian tinggi...
-
Perahu wafer silikon karbida semikonduktor
-
Sistem Reaktor Epitaksi yang Dipanaskan Secara Induktif
-
Proses pelapisan SiC untuk basis grafit SiC Coated...
-
Tantalum carbid berkualitas tinggi dan hemat biaya...
-
Susceptor Barel Dilapisi SiC