Susceptor Basis Grafit Dilapisi SiC untuk MOCVD

Susceptor Dasar Grafit Dilapisi SiCuntuk MOCVD dari semicera dirancang untuk memberikan kinerja luar biasa dalam proses pertumbuhan epitaksi. Lapisan silikon karbida berkualitas tinggi pada dasar grafit memastikan stabilitas, daya tahan, dan konduktivitas termal yang optimal selama pengoperasian MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Dengan menggunakan teknologi susceptor inovatif semicera, Anda dapat mencapai peningkatan presisi dan efisiensi dalamSi EpitaksiDanEpitaksi SiCaplikasi.

IniPenerima MOCVDdirancang untuk mendukung berbagai komponen semikonduktor penting, sepertiPembawa Etsa PSS, Pembawa Etsa ICP, DanPembawa RTP, menjadikannya serbaguna untuk berbagai tugas etsa dan epitaksial. Komitmen Semicera terhadap standar tinggi memastikan bahwa susceptor ini memenuhi tuntutan ketat produksi semikonduktor modern.

Ideal untuk digunakan diEpitaksi LEDProses Susceptor, Barrel Susceptor, dan Monocrystalline Silicon, susceptor ini dapat disesuaikan untuk berbagai ukuran wafer, termasuk konfigurasi Pancake Susceptor. Mereka juga sangat efektif dalam menangani Bagian Fotovoltaik, menjadikannya komponen penting dalam pengembangan sel surya yang efisien.

Selain itu, Susceptors Basis Grafit Berlapis SiC untuk MOCVD dioptimalkan untuk GaN pada SiC Epitaxy, menawarkan kompatibilitas tinggi dengan material semikonduktor canggih. Baik Anda berfokus pada peningkatan hasil panen atau peningkatan kualitas pertumbuhan epitaksi, susceptor semicera memberikan keandalan dan kinerja yang dibutuhkan untuk sukses dalam industri teknologi tinggi.