Sebagai salah satu komponen intiPeralatan MOCVD, basis grafit adalah pembawa dan badan pemanas substrat, yang secara langsung menentukan keseragaman dan kemurnian bahan film, sehingga kualitasnya secara langsung mempengaruhi persiapan lembaran epitaksi, dan pada saat yang sama, dengan bertambahnya jumlah kegunaan dan perubahan kondisi kerja, sangat mudah dipakai, termasuk bahan habis pakai.
Meskipun grafit memiliki konduktivitas dan stabilitas termal yang sangat baik, grafit memiliki keunggulan yang baik sebagai komponen dasarPeralatan MOCVD, tetapi dalam proses produksinya, grafit akan menimbulkan korosi pada bubuk karena sisa gas korosif dan logam organik, dan masa pakai bahan dasar grafit akan sangat berkurang.Pada saat yang sama, bubuk grafit yang jatuh akan menyebabkan polusi pada chip.
Munculnya teknologi pelapisan dapat memberikan fiksasi serbuk permukaan, meningkatkan konduktivitas termal, dan meratakan distribusi panas, yang telah menjadi teknologi utama untuk mengatasi masalah ini.Basis grafit masukPeralatan MOCVDGunakan lingkungan, lapisan permukaan dasar grafit harus memenuhi karakteristik berikut:
(1) Basis grafit dapat dibungkus seluruhnya, dan kepadatannya baik, jika tidak, basis grafit mudah terkorosi dalam gas korosif.
(2) Kekuatan kombinasi dengan dasar grafit tinggi untuk memastikan bahwa lapisan tidak mudah rontok setelah beberapa siklus suhu tinggi dan suhu rendah.
(3) Memiliki stabilitas kimia yang baik untuk menghindari kegagalan pelapisan pada suhu tinggi dan atmosfer korosif.
SiC memiliki keunggulan ketahanan korosi, konduktivitas termal yang tinggi, ketahanan guncangan termal, dan stabilitas kimia yang tinggi, serta dapat bekerja dengan baik di atmosfer epitaksi GaN.Selain itu, koefisien muai panas SiC sangat sedikit berbeda dengan grafit, sehingga SiC adalah bahan pilihan untuk pelapis permukaan dasar grafit.
Saat ini, SiC yang umum terutama adalah tipe 3C, 4H dan 6H, dan penggunaan SiC dari jenis kristal yang berbeda juga berbeda.Misalnya, 4H-SiC dapat memproduksi perangkat berdaya tinggi;6H-SiC adalah yang paling stabil dan dapat memproduksi perangkat fotolistrik;Karena strukturnya mirip dengan GaN, 3C-SiC dapat digunakan untuk memproduksi lapisan epitaksi GaN dan memproduksi perangkat RF SiC-GaN.3C-SiC juga biasa dikenal sebagaiβ-SiC, dan penggunaan pentingβ-SiC adalah sebagai bahan film dan pelapis, jadiβ-SiC saat ini menjadi bahan utama pelapis.
Waktu posting: 06-November-2023