Pengantar Lapisan Silikon Karbida
Lapisan Silicon Carbide (SiC) Deposisi Uap Kimia (CVD) kami adalah lapisan yang sangat tahan lama dan tahan aus, ideal untuk lingkungan yang menuntut ketahanan terhadap korosi dan panas yang tinggi.Lapisan Silikon Karbidaditerapkan dalam lapisan tipis pada berbagai media melalui proses CVD, menawarkan karakteristik kinerja yang unggul.
Fitur Utama
● -Kemurnian Luar Biasa: Menawarkan komposisi ultra-murni99,99995%, kitalapisan SiCmeminimalkan risiko kontaminasi dalam operasi semikonduktor yang sensitif.
● -Resistensi Unggul: Menunjukkan ketahanan yang sangat baik terhadap keausan dan korosi, menjadikannya sempurna untuk pengaturan kimia dan plasma yang menantang.
● -Konduktivitas Termal Tinggi: Memastikan kinerja yang andal di bawah suhu ekstrem karena sifat termalnya yang luar biasa.
● -Stabilitas Dimensi: Mempertahankan integritas struktural pada rentang temperatur yang luas, berkat koefisien ekspansi termal yang rendah.
● -Peningkatan Kekerasan: Dengan tingkat kekerasan40 IPK, lapisan SiC kami tahan terhadap benturan dan abrasi yang signifikan.
● -Permukaan Halus: Memberikan hasil akhir seperti cermin, mengurangi pembentukan partikel dan meningkatkan efisiensi operasional.
Aplikasi
Semicera pelapis SiCdigunakan dalam berbagai tahap pembuatan semikonduktor, termasuk:
● -Fabrikasi Chip LED
● -Produksi Polisilikon
● -Pertumbuhan Kristal Semikonduktor
● -Epitaksi Silikon dan SiC
● -Oksidasi dan Difusi Termal (TO&D)
Kami menyediakan komponen berlapis SiC yang dibuat dari grafit isostatik berkekuatan tinggi, karbon yang diperkuat serat karbon, dan silikon karbida rekristalisasi 4N, yang dirancang khusus untuk reaktor fluidized-bed,Konverter STC-TCS, reflektor unit CZ, perahu wafer SiC, dayung SiCwafer, tabung wafer SiC, dan pembawa wafer yang digunakan dalam proses PECVD, epitaksi silikon, MOCVD.
Manfaat
● -Umur yang Diperpanjang: Secara signifikan mengurangi waktu henti peralatan dan biaya pemeliharaan, sehingga meningkatkan efisiensi produksi secara keseluruhan.
● -Peningkatan Kualitas: Mencapai permukaan dengan kemurnian tinggi yang diperlukan untuk pemrosesan semikonduktor, sehingga meningkatkan kualitas produk.
● -Peningkatan Efisiensi: Mengoptimalkan proses termal dan CVD, sehingga waktu siklus lebih pendek dan hasil lebih tinggi.
Spesifikasi Teknis
● -Struktur: Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
● -Kepadatan: 3,21 gram/cm³
● -Kekerasan: 2500 kekerasan Vickes (beban 500g)
● -Ketangguhan Fraktur: 3,0 MPa·m1/2
● -Koefisien Ekspansi Termal (100–600 °C): 4,3x10-6k-1
● -Modulus Elastis(1300℃):435 IPK
● -Ketebalan Film Khas:100 mikron
● -Kekasaran Permukaan:2-10 mikron
Data Kemurnian (Diukur dengan Spektroskopi Massa Pelepasan Cahaya)
| Elemen | ppm | Elemen | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | <0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | <0,05 |
| Al | <0,04 | Ga | <0,01 |
| P | <0,01 | Ge | <0,05 |
| S | <0,04 | As | < 0,005 |
| K | <0,05 | In | <0,01 |
| Ca | <0,05 | Sn | <0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | <0,01 |
| V | < 0,001 | W | <0,05 |
| Cr | <0,05 | Te | <0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | <0,01 |
| Fe | <0,05 | Bi | <0,05 |
| Ni | <0,01 |
|
