Produsen, Pemasok, Pabrik Wafer Cina
Apa itu wafer semikonduktor?
Wafer semikonduktor adalah irisan tipis bahan semikonduktor berbentuk bulat yang berfungsi sebagai dasar pembuatan sirkuit terpadu (IC) dan perangkat elektronik lainnya. Wafer menyediakan permukaan yang rata dan seragam di mana berbagai komponen elektronik dibuat.
Proses pembuatan wafer melibatkan beberapa langkah, termasuk menumbuhkan kristal tunggal besar dari bahan semikonduktor yang diinginkan, mengiris kristal menjadi wafer tipis menggunakan gergaji berlian, lalu memoles dan membersihkan wafer untuk menghilangkan cacat permukaan atau kotoran. Wafer yang dihasilkan memiliki permukaan yang sangat rata dan halus, yang sangat penting untuk proses fabrikasi selanjutnya.
Setelah wafer disiapkan, wafer menjalani serangkaian proses pembuatan semikonduktor, seperti fotolitografi, etsa, deposisi, dan doping, untuk menciptakan pola dan lapisan rumit yang diperlukan untuk membuat komponen elektronik. Proses ini diulangi beberapa kali pada satu wafer untuk membuat beberapa sirkuit terpadu atau perangkat lain.
Setelah proses fabrikasi selesai, masing-masing chip dipisahkan dengan memotong wafer sepanjang garis yang telah ditentukan. Chip yang dipisahkan kemudian dikemas untuk melindunginya dan menyediakan sambungan listrik untuk diintegrasikan ke dalam perangkat elektronik.
Bahan berbeda pada wafer
Wafer semikonduktor terutama terbuat dari silikon kristal tunggal karena kelimpahannya, sifat listrik yang sangat baik, dan kompatibilitas dengan proses manufaktur semikonduktor standar. Namun, tergantung pada aplikasi dan kebutuhan spesifik, bahan lain juga dapat digunakan untuk membuat wafer. Berikut beberapa contohnya:
Silikon karbida (SiC) adalah bahan semikonduktor celah pita lebar yang menawarkan sifat fisik unggul dibandingkan bahan tradisional. Ini membantu mengurangi ukuran dan berat perangkat terpisah, modul, dan bahkan keseluruhan sistem, sekaligus meningkatkan efisiensi.
Karakteristik Utama SiC:
- -Celah pita lebar:Celah pita SiC sekitar tiga kali lipat silikon, sehingga memungkinkannya beroperasi pada suhu yang lebih tinggi, hingga 400°C.
- -Bidang Kerusakan Kritis Tinggi:SiC dapat menahan medan listrik hingga sepuluh kali lipat silikon, sehingga ideal untuk perangkat bertegangan tinggi.
- -Konduktivitas Termal Tinggi:SiC secara efisien menghilangkan panas, membantu perangkat mempertahankan suhu pengoperasian yang optimal dan memperpanjang masa pakainya.
- -Kecepatan Melayang Elektron Saturasi Tinggi:Dengan kecepatan penyimpangan silikon dua kali lipat, SiC memungkinkan frekuensi peralihan yang lebih tinggi, membantu miniaturisasi perangkat.
Aplikasi:
-
-Elektronik Daya:Perangkat daya SiC unggul dalam lingkungan bertegangan tinggi, arus tinggi, suhu tinggi, dan frekuensi tinggi, sehingga secara signifikan meningkatkan efisiensi konversi energi. Mereka banyak digunakan pada kendaraan listrik, stasiun pengisian daya, sistem fotovoltaik, transportasi kereta api, dan jaringan pintar.
-
-Komunikasi Gelombang Mikro:Perangkat GaN RF berbasis SiC sangat penting untuk infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk BTS 5G. Perangkat ini menggabungkan konduktivitas termal SiC yang sangat baik dengan output RF berfrekuensi tinggi dan berdaya tinggi dari GaN, menjadikannya pilihan utama untuk jaringan telekomunikasi frekuensi tinggi generasi berikutnya.
Galium nitrida (GaN)adalah bahan semikonduktor celah pita lebar generasi ketiga dengan celah pita besar, konduktivitas termal tinggi, kecepatan penyimpangan saturasi elektron tinggi, dan karakteristik medan kerusakan yang sangat baik. Perangkat GaN memiliki prospek aplikasi yang luas di bidang frekuensi tinggi, kecepatan tinggi, dan daya tinggi seperti pencahayaan hemat energi LED, tampilan proyeksi laser, kendaraan listrik, jaringan pintar, dan komunikasi 5G.
Gallium arsenida (GaAs)adalah bahan semikonduktor yang dikenal dengan frekuensi tinggi, mobilitas elektron tinggi, keluaran daya tinggi, noise rendah, dan linearitas yang baik. Ini banyak digunakan dalam industri optoelektronik dan mikroelektronika. Dalam optoelektronik, substrat GaAs digunakan untuk memproduksi LED (dioda pemancar cahaya), LD (dioda laser), dan perangkat fotovoltaik. Dalam mikroelektronika, mereka digunakan dalam produksi MESFET (transistor efek medan semikonduktor logam), HEMT (transistor mobilitas elektron tinggi), HBT (transistor bipolar heterojungsi), IC (sirkuit terpadu), dioda gelombang mikro, dan perangkat efek Hall.
Indium fosfida (InP)adalah salah satu semikonduktor senyawa III-V yang penting, yang dikenal dengan mobilitas elektronnya yang tinggi, ketahanan radiasi yang sangat baik, dan celah pita yang lebar. Ini banyak digunakan dalam industri optoelektronik dan mikroelektronika.
