Semicera menyediakan pelapis tantalum karbida (TaC) khusus untuk berbagai komponen dan pembawa.Proses pelapisan terdepan Semicera memungkinkan pelapisan tantalum karbida (TaC) mencapai kemurnian tinggi, stabilitas suhu tinggi, dan toleransi kimia yang tinggi, meningkatkan kualitas produk kristal SIC/GAN dan lapisan EPI (Suseptor TaC berlapis grafit), dan memperpanjang umur komponen utama reaktor. Penggunaan lapisan TaC tantalum karbida adalah untuk mengatasi masalah tepi dan meningkatkan kualitas pertumbuhan kristal, dan Semicera telah memecahkan terobosan teknologi pelapisan tantalum karbida (CVD), yang mencapai tingkat mahir internasional.
Silikon karbida (SiC) adalah material utama dalam semikonduktor generasi ketiga, namun tingkat rendemennya telah menjadi faktor pembatas pertumbuhan industri. Setelah pengujian ekstensif di laboratorium Semicera, ditemukan bahwa TaC yang disemprotkan dan disinter tidak memiliki kemurnian dan keseragaman yang diperlukan. Sebaliknya, proses CVD menjamin tingkat kemurnian 5 PPM dan keseragaman yang sangat baik. Penggunaan CVD TaC secara signifikan meningkatkan tingkat hasil wafer silikon karbida. Kami menyambut baik diskusiCincin Panduan Pelapisan Tantalum Carbide CVD untuk lebih mengurangi biaya wafer SiC.
Setelah bertahun-tahun berkembang, Semicera telah menaklukkan teknologiCVD TaCdengan upaya bersama dari departemen R&D. Cacat mudah terjadi pada proses pertumbuhan wafer SiC, tetapi setelah digunakanTaC, perbedaannya signifikan. Di bawah ini adalah perbandingan wafer dengan dan tanpa TaC, serta bagian Simicera untuk pertumbuhan kristal tunggal.
dengan dan tanpa TaC
Setelah menggunakan TaC (kanan)
Apalagi milik SemiceraProduk berlapis TaCmenunjukkan masa pakai yang lebih lama dan ketahanan suhu tinggi yang lebih besar dibandingkan denganpelapis SiC.Pengukuran laboratorium telah menunjukkan bahwa kamipelapis TaCdapat secara konsisten bekerja pada suhu hingga 2300 derajat Celcius untuk waktu yang lama. Di bawah ini adalah beberapa contoh sampel kami:
