Semicera menyediakan pelapis tantalum karbida (TaC) khusus untuk berbagai komponen dan pembawa.Proses pelapisan terdepan Semicera memungkinkan pelapisan tantalum karbida (TaC) mencapai kemurnian tinggi, stabilitas suhu tinggi, dan toleransi kimia yang tinggi, meningkatkan kualitas produk kristal SIC/GAN dan lapisan EPI (Suseptor TaC berlapis grafit), dan memperpanjang umur komponen utama reaktor.Penggunaan lapisan TaC tantalum karbida adalah untuk mengatasi masalah tepi dan meningkatkan kualitas pertumbuhan kristal, dan Semicera telah memecahkan terobosan teknologi pelapisan tantalum karbida (CVD), yang mencapai tingkat mahir internasional.
Dengan munculnya wafer silikon karbida (SiC) berukuran 8 inci, persyaratan untuk berbagai proses semikonduktor menjadi semakin ketat, terutama untuk proses epitaksi yang suhunya dapat melebihi 2000 derajat Celcius.Bahan suseptor tradisional, seperti grafit yang dilapisi silikon karbida, cenderung menyublim pada suhu tinggi, sehingga mengganggu proses epitaksi.Namun, tantalum karbida (TaC) CVD secara efektif mengatasi masalah ini, tahan terhadap suhu hingga 2300 derajat Celcius dan menawarkan masa pakai yang lebih lama.Hubungi Semicera's Lapisan Tantalum Carbid Setengah Bulanuntuk menjelajahi lebih lanjut tentang solusi canggih kami.
Setelah bertahun-tahun berkembang, Semicera telah menaklukkan teknologiCVD TaCdengan upaya bersama dari departemen R&D.Cacat mudah terjadi pada proses pertumbuhan wafer SiC, tetapi setelah digunakanTaC, perbedaannya signifikan.Di bawah ini adalah perbandingan wafer dengan dan tanpa TaC, serta bagian Simicera untuk pertumbuhan kristal tunggal.
dengan dan tanpa TaC
Setelah menggunakan TaC (kanan)
Apalagi SemiceraProduk berlapis TaCmenunjukkan masa pakai yang lebih lama dan ketahanan suhu tinggi yang lebih besar dibandingkan denganpelapis SiC.Pengukuran laboratorium telah menunjukkan bahwa kamipelapis TaCdapat secara konsisten bekerja pada suhu hingga 2300 derajat Celcius untuk waktu yang lama.Di bawah ini adalah beberapa contoh sampel kami:
Suseptor berlapis TaC
Grafit dengan reaktor berlapis TaC
