Lapisan CVD TaC

 

Pengantar Pelapisan CVD TaC:

 

CVD TaC Coating adalah teknologi yang menggunakan deposisi uap kimia untuk mengendapkan lapisan tantalum karbida (TaC) pada permukaan substrat. Tantalum karbida adalah bahan keramik berkinerja tinggi dengan sifat mekanik dan kimia yang sangat baik. Proses CVD menghasilkan film TaC yang seragam pada permukaan substrat melalui reaksi gas.

 

Fitur utama:

 

Kekerasan yang sangat baik dan ketahanan aus: Tantalum karbida memiliki kekerasan yang sangat tinggi, dan Lapisan TaC CVD dapat meningkatkan ketahanan aus media secara signifikan. Hal ini menjadikan pelapisan ideal untuk aplikasi di lingkungan dengan tingkat keausan tinggi, seperti alat pemotong dan cetakan.

Stabilitas Suhu Tinggi: Lapisan TaC melindungi komponen tungku dan reaktor penting pada suhu hingga 2200°C, menunjukkan stabilitas yang baik. Ia menjaga stabilitas kimia dan mekanik dalam kondisi suhu ekstrim, sehingga cocok untuk pemrosesan suhu tinggi dan aplikasi di lingkungan suhu tinggi.

Stabilitas kimia yang sangat baik: Tantalum karbida memiliki ketahanan korosi yang kuat terhadap sebagian besar asam dan basa, dan Lapisan TaC CVD dapat secara efektif mencegah kerusakan pada substrat di lingkungan korosif.

Titik leleh tinggi: Tantalum karbida memiliki titik leleh yang tinggi (kira-kira 3880°C), memungkinkan Lapisan TaC CVD digunakan dalam kondisi suhu sangat tinggi tanpa meleleh atau rusak.

Konduktivitas termal yang sangat baik: Lapisan TaC memiliki konduktivitas termal yang tinggi, yang membantu menghilangkan panas secara efektif dalam proses suhu tinggi dan mencegah panas berlebih lokal.

 

Aplikasi potensial:

 

• Komponen reaktor CVD epitaksi Gallium Nitrida (GaN) dan Silicon Carbide termasuk pembawa wafer, antena parabola, pancuran, langit-langit, dan susceptor

• Komponen pertumbuhan kristal silikon karbida, galium nitrida, dan aluminium nitrida (AlN) termasuk cawan lebur, tempat benih, cincin pemandu, dan filter

• Komponen industri termasuk elemen pemanas resistan, nozel injeksi, cincin penutup dan jig mematri

 

Fitur aplikasi:

 

• Suhu stabil di atas 2000°C, memungkinkan pengoperasian pada suhu ekstrim
•Tahan terhadap hidrogen (Hz), amonia (NH3), monosilana (SiH4) dan silikon (Si), memberikan perlindungan di lingkungan kimia yang keras
• Ketahanan terhadap guncangan termal memungkinkan siklus pengoperasian lebih cepat
• Grafit memiliki daya rekat yang kuat, memastikan masa pakai yang lama dan tidak ada delaminasi lapisan.
• Kemurnian ultra-tinggi untuk menghilangkan kotoran atau kontaminan yang tidak perlu
• Cakupan lapisan konformal dengan toleransi dimensi yang ketat

 

Spesifikasi teknis:

 

Persiapan pelapisan tantalum karbida padat dengan CVD

 Coting Tantalum Carbide Dengan Metode CVD

Lapisan TAC dengan kristalinitas tinggi dan keseragaman yang sangat baik:

 Lapisan TAC dengan kristalinitas tinggi dan keseragaman yang sangat baik

 

 

Parameter Teknis CVD TAC COATING_Semicera:

 

Sifat fisik lapisan TaC
Kepadatan 14,3 (g/cm³)
Konsentrasi Massal 8x1015/cm
Emisivitas spesifik 0,3
Koefisien ekspansi termal 6.3 10-6/K
Kekerasan (HK) 2000HK
Resistivitas Massal 4,5 ohm-cm
Perlawanan 1x10-5Ohm*cm
Stabilitas termal <2500℃
Mobilitas 237 cm2/Vs
Perubahan ukuran grafit -10~-20um
Ketebalan lapisan Nilai tipikal ≥20um (35um+10um)

 

Di atas adalah nilai-nilai tipikal.