SOI Wafer (Silicon On Insulator) Semicera dirancang untuk menghasilkan isolasi listrik dan kinerja termal yang unggul. Struktur wafer inovatif ini, dilengkapi lapisan silikon pada lapisan isolasi, memastikan peningkatan kinerja perangkat dan mengurangi konsumsi daya, menjadikannya ideal untuk berbagai aplikasi teknologi tinggi.
Wafer SOI kami menawarkan manfaat luar biasa untuk sirkuit terpadu dengan meminimalkan kapasitansi parasit dan meningkatkan kecepatan dan efisiensi perangkat. Hal ini penting untuk elektronik modern, di mana kinerja tinggi dan efisiensi energi sangat penting baik untuk aplikasi konsumen maupun industri.
Semicera menggunakan teknik manufaktur canggih untuk menghasilkan wafer SOI dengan kualitas dan keandalan yang konsisten. Wafer ini memberikan isolasi termal yang sangat baik, sehingga cocok untuk digunakan di lingkungan yang memerlukan pembuangan panas, seperti pada perangkat elektronik dengan kepadatan tinggi dan sistem manajemen daya.
Penggunaan wafer SOI dalam fabrikasi semikonduktor memungkinkan pengembangan chip yang lebih kecil, lebih cepat, dan lebih andal. Komitmen Semicera terhadap rekayasa presisi memastikan wafer SOI kami memenuhi standar tinggi yang diperlukan untuk teknologi mutakhir di bidang seperti telekomunikasi, otomotif, dan elektronik konsumen.
Memilih SOI Wafer Semicera berarti berinvestasi pada produk yang mendukung kemajuan teknologi elektronik dan mikroelektronik. Wafer kami dirancang untuk memberikan peningkatan kinerja dan daya tahan, berkontribusi terhadap keberhasilan proyek teknologi tinggi Anda dan memastikan bahwa Anda tetap menjadi yang terdepan dalam inovasi.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
