Substrat Polos Keramik SiN Semicera memberikan solusi berkinerja tinggi untuk berbagai aplikasi elektronik dan industri. Dikenal karena konduktivitas termal dan kekuatan mekanisnya yang sangat baik, substrat ini memastikan pengoperasian yang andal di lingkungan yang berat.
Keramik SiN (Silicon Nitride) kami dirancang untuk tahan terhadap suhu ekstrem dan kondisi tekanan tinggi, sehingga cocok untuk perangkat elektronik berdaya tinggi dan perangkat semikonduktor canggih. Daya tahan dan ketahanannya terhadap guncangan termal menjadikannya ideal untuk digunakan dalam aplikasi yang mengutamakan keandalan dan kinerja.
Proses manufaktur Semicera yang presisi memastikan bahwa setiap substrat polos memenuhi standar kualitas yang ketat. Hal ini menghasilkan substrat dengan ketebalan dan kualitas permukaan yang konsisten, yang penting untuk mencapai kinerja optimal dalam rakitan dan sistem elektronik.
Selain keunggulan termal dan mekanisnya, Substrat Polos Keramik SiN menawarkan sifat insulasi listrik yang sangat baik. Hal ini memastikan gangguan listrik minimal dan berkontribusi terhadap stabilitas dan efisiensi komponen elektronik secara keseluruhan, sehingga meningkatkan umur operasionalnya.
Dengan memilih Substrat Polos Keramik SiN Semicera, Anda memilih produk yang menggabungkan ilmu material tingkat lanjut dengan manufaktur terbaik. Komitmen kami terhadap kualitas dan inovasi menjamin Anda menerima media yang memenuhi standar industri tertinggi dan mendukung keberhasilan proyek teknologi canggih Anda.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
