Wafer Silikon Semicera dibuat dengan cermat untuk berfungsi sebagai fondasi beragam perangkat semikonduktor, mulai dari mikroprosesor hingga sel fotovoltaik. Wafer ini dirancang dengan presisi dan kemurnian tinggi, memastikan kinerja optimal dalam berbagai aplikasi elektronik.
Diproduksi menggunakan teknik canggih, Semicera Silicon Wafer menunjukkan kerataan dan keseragaman yang luar biasa, yang sangat penting untuk mencapai hasil tinggi dalam fabrikasi semikonduktor. Tingkat presisi ini membantu meminimalkan cacat dan meningkatkan efisiensi komponen elektronik secara keseluruhan.
Kualitas unggul Semicera Silicon Wafer terbukti dalam karakteristik kelistrikannya, yang berkontribusi pada peningkatan kinerja perangkat semikonduktor. Dengan tingkat pengotor yang rendah dan kualitas kristal yang tinggi, wafer ini menyediakan platform ideal untuk mengembangkan elektronik berkinerja tinggi.
Tersedia dalam berbagai ukuran dan spesifikasi, Semicera Silicon Wafer dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan spesifik berbagai industri, termasuk komputasi, telekomunikasi, dan energi terbarukan. Baik untuk manufaktur skala besar atau penelitian khusus, wafer ini memberikan hasil yang dapat diandalkan.
Semicera berkomitmen untuk mendukung pertumbuhan dan inovasi industri semikonduktor dengan menyediakan wafer silikon berkualitas tinggi yang memenuhi standar industri tertinggi. Dengan fokus pada presisi dan keandalan, Semicera memungkinkan produsen untuk mendorong batas-batas teknologi, memastikan produk mereka tetap menjadi yang terdepan di pasar.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
