Wafer Silicon On Insulator (SOI) Semicera berada di garis depan inovasi semikonduktor, menawarkan isolasi listrik yang ditingkatkan dan kinerja termal yang unggul. Struktur SOI, yang terdiri dari lapisan silikon tipis pada substrat isolasi, memberikan manfaat penting untuk perangkat elektronik berperforma tinggi.
Wafer SOI kami dirancang untuk meminimalkan kapasitansi parasit dan arus bocor, yang penting untuk mengembangkan sirkuit terpadu berkecepatan tinggi dan berdaya rendah. Teknologi canggih ini memastikan perangkat beroperasi lebih efisien, dengan peningkatan kecepatan dan pengurangan konsumsi energi, yang sangat penting bagi elektronik modern.
Proses manufaktur canggih yang digunakan oleh Semicera menjamin produksi wafer SOI dengan keseragaman dan konsistensi yang sangat baik. Kualitas ini sangat penting untuk aplikasi di bidang telekomunikasi, otomotif, dan elektronik konsumen, yang memerlukan komponen yang andal dan berperforma tinggi.
Selain manfaat listriknya, wafer SOI Semicera menawarkan isolasi termal yang unggul, meningkatkan pembuangan panas dan stabilitas pada perangkat dengan kepadatan tinggi dan berdaya tinggi. Fitur ini sangat berharga dalam aplikasi yang melibatkan pembangkitan panas yang signifikan dan memerlukan manajemen termal yang efektif.
Dengan memilih Wafer Silicon On Insulator Semicera, Anda berinvestasi pada produk yang mendukung kemajuan teknologi mutakhir. Komitmen kami terhadap kualitas dan inovasi memastikan bahwa wafer SOI kami memenuhi tuntutan industri semikonduktor saat ini, memberikan landasan bagi perangkat elektronik generasi berikutnya.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
