Dayung dan Pembawa Wafer Silikon Karbida (SiC) yang Diresapi Silikon

Deskripsi Singkat:

Paddle dan Wafer Carbide (SiC) yang Diresapi Silikon adalah material komposit berkinerja tinggi yang dibentuk dengan menginfiltrasi silikon ke dalam matriks silikon karbida yang direkristalisasi dan menjalani perlakuan khusus. Bahan ini menggabungkan kekuatan tinggi dan toleransi suhu tinggi dari silikon karbida rekristalisasi dengan peningkatan kinerja infiltrasi silikon, dan menunjukkan kinerja luar biasa dalam kondisi ekstrem. Ini banyak digunakan di bidang perlakuan panas semikonduktor, terutama di lingkungan yang memerlukan suhu tinggi, tekanan tinggi, dan ketahanan aus yang tinggi, dan merupakan bahan yang ideal untuk pembuatan suku cadang perlakuan panas dalam proses produksi semikonduktor.

 

 


Detail Produk

Label Produk

Ikhtisar Produk

ItuDayung dan Pembawa Wafer Silikon Karbida (SiC) yang Diresapi Silikondirancang untuk memenuhi persyaratan aplikasi pemrosesan termal semikonduktor. Dibuat dari SiC dengan kemurnian tinggi dan ditingkatkan melalui impregnasi silikon, produk ini menawarkan kombinasi unik antara kinerja suhu tinggi, konduktivitas termal yang sangat baik, ketahanan terhadap korosi, dan kekuatan mekanik yang luar biasa.

Dengan mengintegrasikan ilmu material tingkat lanjut dengan manufaktur presisi, solusi ini memastikan kinerja, keandalan, dan daya tahan yang unggul bagi produsen semikonduktor.

Fitur Utama

1.Ketahanan Suhu Tinggi yang Luar Biasa

Dengan titik leleh melebihi 2700°C, material SiC pada dasarnya stabil di bawah panas ekstrem. Impregnasi silikon semakin meningkatkan stabilitas termalnya, memungkinkannya menahan paparan suhu tinggi dalam waktu lama tanpa melemahnya struktur atau penurunan kinerja.

2.Konduktivitas Termal Unggul

Konduktivitas termal yang luar biasa dari SiC yang diresapi silikon memastikan distribusi panas yang seragam, mengurangi tekanan termal selama tahap pemrosesan kritis. Properti ini memperpanjang umur peralatan dan meminimalkan waktu henti produksi, sehingga ideal untuk pemrosesan termal suhu tinggi.

3.Ketahanan Oksidasi dan Korosi

Lapisan silikon oksida yang kuat terbentuk secara alami di permukaan, memberikan ketahanan luar biasa terhadap oksidasi dan korosi. Hal ini memastikan keandalan jangka panjang dalam lingkungan pengoperasian yang keras, melindungi material dan komponen di sekitarnya.

4.Kekuatan Mekanik Tinggi dan Ketahanan Aus

SiC yang diresapi silikon memiliki kekuatan tekan dan ketahanan aus yang sangat baik, menjaga integritas strukturalnya di bawah kondisi beban tinggi dan suhu tinggi. Hal ini mengurangi risiko kerusakan terkait keausan, memastikan kinerja yang konsisten selama siklus penggunaan yang lama.

Spesifikasi

Nama Produk

SC-RSiC-Si

Bahan

Impregnasi Silikon Silicon Carbide Compact (kemurnian tinggi)

Aplikasi

Suku Cadang Perlakuan Panas Semikonduktor, Suku Cadang Peralatan Pabrikan Semikonduktor

Formulir pengiriman

Tubuh yang dibentuk (Tubuh sinter)

Komposisi Properti Mekanik Modulus Young (IPK)

Kekuatan Lentur

(MPa)

Komposisi (vol%) α-SiC α-SiC RT 370 250
82 18 800°C 360 220
Kepadatan Massal (kg/m³) 3,02x103 1200°C 340 220
Suhu tahan panas°C 1350 Rasio Poisson 0,18(RT)
Properti Termal

Konduktivitas Termal

(W/(m·K))

Kapasitas Panas Spesifik

(kJ/(kg·K))

Koefisien Ekspansi Termal

(1/K)

RT 220 0,7 RT~700°C 3,4x10-6
700°C 60 1.23 700~1200°C 4,3x10-6

 

Konten Pengotor ((ppm)

Elemen

Fe Ni Na K Mg Ca Cr

Mn

Zn Cu Ti Va Ai
Tingkat Konten 3 <2 <0,5 <0,1 <1 5 0,3 <0,1 <0,1 <0,1 <0,3 <0,3 25

Aplikasi

Pemrosesan Termal Semikonduktor:Ideal untuk proses seperti deposisi uap kimia (CVD), pertumbuhan epitaksial, dan anil, yang memerlukan kontrol suhu yang tepat dan ketahanan material.

   Pembawa & Dayung Wafer:Dirancang untuk menahan dan mengangkut wafer dengan aman selama perawatan termal suhu tinggi.

   Lingkungan Pengoperasian Ekstrim: Cocok untuk pengaturan yang memerlukan ketahanan terhadap panas, paparan bahan kimia, dan tekanan mekanis.

 

Keuntungan SiC yang Diresapi Silikon

Kombinasi silikon karbida dengan kemurnian tinggi dan teknologi impregnasi silikon canggih memberikan manfaat kinerja yang tak tertandingi:

       Presisi:Meningkatkan akurasi dan kontrol pemrosesan semikonduktor.

       Stabilitas:Tahan terhadap lingkungan yang keras tanpa mengorbankan fungsionalitas.

       Umur panjang:Memperpanjang masa pakai peralatan manufaktur semikonduktor.

       Efisiensi:Meningkatkan produktivitas dengan memastikan hasil yang andal dan konsisten.

 

Mengapa Memilih Solusi SiC yang Diresapi Silikon Kami?

At Semicera, kami berspesialisasi dalam menyediakan solusi berkinerja tinggi yang disesuaikan dengan kebutuhan produsen semikonduktor. Dayung dan Wafer Silikon Karbida yang Diresapi Silikon kami menjalani pengujian ketat dan jaminan kualitas untuk memenuhi standar industri. Dengan memilih Semicera, Anda mendapatkan akses ke material mutakhir yang dirancang untuk mengoptimalkan proses manufaktur dan meningkatkan kemampuan produksi Anda.

 

Spesifikasi Teknis

      Komposisi Bahan:Silikon karbida kemurnian tinggi dengan impregnasi silikon.

   Kisaran Suhu Operasional:Hingga 2700°C.

   Konduktivitas Termal:Sangat tinggi untuk distribusi panas yang seragam.

Properti Resistensi:Oksidasi, korosi, dan tahan aus.

      Aplikasi:Kompatibel dengan berbagai sistem pemrosesan termal semikonduktor.

 

Tempat Kerja Semicera
Tempat kerja Semicera 2
Mesin peralatan
Pemrosesan CNN, pembersihan kimia, pelapisan CVD
Gudang Semicera
Layanan kami

Hubungi kami

Siap untuk meningkatkan proses manufaktur semikonduktor Anda? KontakSemicerahari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Paddle Silicon Carbide dan Wafer Carrier yang Diresapi Silikon.

      E-mail: sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com

      Telepon: +86-0574-8650 3783

   Lokasi:No.1958 Jiangnan Road, Teknologi Tinggi Ningbo, Zona, Provinsi Zhejiang, 315201, Cina


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya: