Keterangan
Perusahaan kami menyediakanlapisan SiClayanan proses dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan bahan lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul diendapkan pada permukaandilapisibahan, membentuk lapisan pelindung SIC.
Ciri-ciri kepala pancuran SiC adalah sebagai berikut:
1. Ketahanan korosi: Bahan SiC memiliki ketahanan korosi yang sangat baik dan dapat menahan erosi berbagai cairan dan larutan kimia, serta cocok untuk berbagai proses pemrosesan kimia dan perawatan permukaan.
2. Stabilitas suhu tinggi:Nozel SiCdapat menjaga stabilitas struktural di lingkungan bersuhu tinggi dan cocok untuk aplikasi yang memerlukan perlakuan suhu tinggi.
3. Penyemprotan seragam:nosel SiCdesain memiliki kinerja kontrol penyemprotan yang baik, yang dapat mencapai distribusi cairan yang seragam dan memastikan bahwa cairan perawatan tertutup secara merata pada permukaan target.
4. Ketahanan aus yang tinggi: Bahan SiC memiliki kekerasan dan ketahanan aus yang tinggi serta dapat menahan penggunaan dan gesekan jangka panjang.
Kepala pancuran SiC banyak digunakan dalam proses pengolahan cairan di bidang manufaktur semikonduktor, pemrosesan kimia, pelapisan permukaan, pelapisan listrik, dan bidang industri lainnya. Ini dapat memberikan efek penyemprotan yang stabil, seragam dan dapat diandalkan untuk memastikan kualitas dan konsistensi pemrosesan dan perawatan.
Fitur Utama
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD | ||
Struktur Kristal | Fase FCC β | |
Kepadatan | gram/cm³ | 3.21 |
Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
Ukuran Butir | m | 2~10 |
Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
Kekuatan Felekural | MPa (RT 4 poin) | 415 |
Modulus Muda | IPK (tikungan 4pt, 1300℃) | 430 |
Ekspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |