Pemanas Berlapis Silikon Karbida SiC

Deskripsi Singkat:

Pemanas silikon karbida dilapisi dengan oksida logam, yaitu pelat silikon karbida cat inframerah jauh sebagai elemen radiasi, di lubang elemen (atau alur) ke dalam kawat pemanas listrik, di bagian bawah pelat silikon karbida diberi insulasi yang lebih tebal, tahan api , bahan insulasi panas, dan kemudian dipasang pada cangkang logam, terminal dapat digunakan untuk menghubungkan catu daya.

Ketika sinar infra merah jauh dari pemanas silikon karbida memancar ke suatu benda, ia dapat menyerap, memantulkan, dan melewatinya. Bahan yang dipanaskan dan dikeringkan secara bersamaan menyerap energi radiasi inframerah jauh pada kedalaman tertentu molekul internal dan permukaan, menghasilkan efek pemanasan sendiri, sehingga molekul pelarut atau air menguap dan memanas secara merata, sehingga menghindari deformasi dan perubahan kualitatif. karena derajat muai panas yang berbeda-beda, sehingga tampilan material, sifat fisik dan mekanik, tahan luntur dan warna tetap utuh.


Detail Produk

Label Produk

Keterangan

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.

Elemen Pemanas SiC (17)
Elemen Pemanas SiC (22)
Elemen Pemanas SiC (23)

Fitur Utama

1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC

Properti SiC-CVD

Struktur Kristal Fase FCC β
Kepadatan gram/cm³ 3.21
Kekerasan Kekerasan Vickers 2500
Ukuran Butir m 2~10
Kemurnian Kimia % 99.99995
Kapasitas Panas J·kg-1 ·K-1 640
Suhu Sublimasi 2700
Kekuatan Felekural MPa (RT 4 poin) 415
Modulus Muda IPK (tikungan 4pt, 1300℃) 430
Ekspansi Termal (CTE) 10-6K-1 4.5
Konduktivitas termal (W/mK) 300
Tempat Kerja Semicera
Tempat kerja Semicera 2
Mesin peralatan
Pemrosesan CNN, pembersihan kimia, pelapisan CVD
Gudang Semicera
Layanan kami

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya: