Pelat pembawa RTA silikon karbida untuk semikonduktor

Deskripsi Singkat:

Silikon karbida adalah jenis keramik baru dengan kinerja biaya tinggi dan sifat material yang sangat baik. Karena fitur-fitur seperti kekuatan dan kekerasan tinggi, ketahanan suhu tinggi, konduktivitas termal yang tinggi, dan ketahanan terhadap korosi kimia, Silicon Carbide hampir dapat menahan semua media kimia. Oleh karena itu, SiC banyak digunakan di pertambangan minyak, kimia, permesinan dan wilayah udara, bahkan energi nuklir dan militer mempunyai tuntutan khusus terhadap SIC. Beberapa aplikasi normal yang dapat kami tawarkan adalah cincin segel untuk pompa, katup dan pelindung, dll.

Kami dapat merancang dan memproduksi sesuai dengan dimensi spesifik Anda dengan kualitas yang baik dan waktu pengiriman yang wajar.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Keterangan

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.

Fitur Utama

1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan deposisi uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC

Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Muda	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300