Keterangan
Suseptor grafit berlapis SiC Semicera direkayasa menggunakan substrat grafit berkualitas tinggi, yang dilapisi dengan cermat dengan Silicon Carbide (SiC) melalui proses Deposisi Uap Kimia (CVD) yang canggih. Desain inovatif ini memastikan ketahanan luar biasa terhadap guncangan termal dan degradasi kimia, secara signifikan memperpanjang masa pakai suseptor grafit berlapis SiC dan menjamin kinerja yang andal di seluruh proses manufaktur semikonduktor.
Fitur Utama：
1. Konduktivitas Termal UnggulSuseptor grafit berlapis SiC menunjukkan konduktivitas termal yang luar biasa, yang sangat penting untuk pembuangan panas yang efisien selama pembuatan semikonduktor. Fitur ini meminimalkan gradien termal pada permukaan wafer, mendorong distribusi suhu seragam yang penting untuk mencapai sifat semikonduktor yang diinginkan.
2. Ketahanan Terhadap Kejutan Kimia dan Termal yang KuatLapisan SiC memberikan perlindungan tangguh terhadap korosi kimia dan guncangan termal, menjaga integritas kerentanan grafit bahkan di lingkungan pemrosesan yang keras. Peningkatan daya tahan ini mengurangi waktu henti dan memperpanjang masa pakai, sehingga berkontribusi terhadap peningkatan produktivitas dan efisiensi biaya di fasilitas manufaktur semikonduktor.
3. Kustomisasi untuk Kebutuhan SpesifikSusceptor grafit berlapis SiC kami dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan dan preferensi spesifik. Kami menawarkan serangkaian opsi penyesuaian, termasuk penyesuaian ukuran dan variasi ketebalan lapisan, untuk memastikan fleksibilitas desain dan kinerja optimal untuk berbagai aplikasi dan parameter proses.
Aplikasi：
Aplikasi Pelapis Semicera SiC digunakan dalam berbagai tahap pembuatan semikonduktor, termasuk:
1. -Fabrikasi Chip LED
2. -Produksi Polisilikon
3. -Pertumbuhan Kristal Semikonduktor
4. -Epitaksi silikon dan SiC
5. -Oksidasi dan Difusi Termal (TO&D)
Spesifikasi Teknis：
