Keterangan
Susceptors Wafer SiC Semicorex untuk MOCVD (Deposisi Uap Kimia Organik Logam) dirancang untuk memenuhi tuntutan proses pengendapan epitaksi. Memanfaatkan Silicon Carbide (SiC) berkualitas tinggi, susceptor ini menawarkan ketahanan dan kinerja tak tertandingi dalam lingkungan bersuhu tinggi dan korosif, memastikan pertumbuhan material semikonduktor yang tepat dan efisien.
Fitur Utama:
1. Sifat Material UnggulDibangun dari SiC bermutu tinggi, suseptor wafer kami menunjukkan konduktivitas termal dan ketahanan kimia yang luar biasa. Sifat-sifat ini memungkinkannya tahan terhadap kondisi ekstrim proses MOCVD, termasuk suhu tinggi dan gas korosif, memastikan umur panjang dan kinerja yang andal.
2. Presisi dalam Deposisi EpitaxialRekayasa presisi dari Susceptors Wafer SiC kami memastikan distribusi suhu yang seragam di seluruh permukaan wafer, memfasilitasi pertumbuhan lapisan epitaksi yang konsisten dan berkualitas tinggi. Ketepatan ini sangat penting untuk menghasilkan semikonduktor dengan sifat listrik yang optimal.
3. Peningkatan Daya TahanBahan SiC yang kuat memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap keausan dan degradasi, bahkan ketika terpapar terus-menerus pada lingkungan proses yang keras. Daya tahan ini mengurangi frekuensi penggantian suseptor, meminimalkan waktu henti dan biaya operasional.
Aplikasi：
Susceptors Wafer SiC Semicorex untuk MOCVD cocok untuk:
• Pertumbuhan epitaksi bahan semikonduktor
• Proses MOCVD bersuhu tinggi
• Produksi GaN, AlN, dan senyawa semikonduktor lainnya
• Aplikasi manufaktur semikonduktor tingkat lanjut
Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:
Manfaat:
•Presisi Tinggi: Memastikan pertumbuhan epitaksi yang seragam dan berkualitas tinggi.
•Performa Tahan Lama: Daya tahan yang luar biasa mengurangi frekuensi penggantian.
• Efisiensi Biaya: Meminimalkan biaya operasional melalui pengurangan waktu henti dan pemeliharaan.
•Keserbagunaan: Dapat disesuaikan agar sesuai dengan berbagai persyaratan proses MOCVD.
