Keterangan
Semicera GaN Epitaxy Carrier dirancang dengan cermat untuk memenuhi tuntutan ketat manufaktur semikonduktor modern. Dengan landasan material berkualitas tinggi dan rekayasa presisi, kapal induk ini menonjol karena kinerja dan keandalannya yang luar biasa. Integrasi lapisan Silicon Carbide (SiC) Deposisi Uap Kimia (CVD) memastikan daya tahan, efisiensi termal, dan perlindungan yang unggul, menjadikannya pilihan utama bagi para profesional industri.
Fitur Utama
1. Daya Tahan Luar BiasaLapisan CVD SiC pada GaN Epitaxy Carrier meningkatkan ketahanannya terhadap keausan, sehingga secara signifikan memperpanjang umur operasionalnya. Ketangguhan ini memastikan kinerja yang konsisten bahkan dalam lingkungan manufaktur yang menuntut, sehingga mengurangi kebutuhan akan penggantian dan pemeliharaan yang sering.
2. Efisiensi Termal yang UnggulManajemen termal sangat penting dalam manufaktur semikonduktor. Sifat termal canggih GaN Epitaxy Carrier memfasilitasi pembuangan panas yang efisien, menjaga kondisi suhu optimal selama proses pertumbuhan epitaksi. Efisiensi ini tidak hanya meningkatkan kualitas wafer semikonduktor tetapi juga meningkatkan efisiensi produksi secara keseluruhan.
3. Kemampuan PelindungLapisan SiC memberikan perlindungan kuat terhadap korosi kimia dan guncangan termal. Hal ini memastikan integritas pembawa tetap terjaga selama proses produksi, melindungi bahan semikonduktor yang halus dan meningkatkan hasil keseluruhan serta keandalan proses produksi.
Spesifikasi Teknis :
Aplikasi：
Semicorex GaN Epitaxy Carrier sangat ideal untuk berbagai proses manufaktur semikonduktor, termasuk:
• Pertumbuhan epitaksial GaN
• Proses semikonduktor suhu tinggi
• Deposisi Uap Kimia (CVD)
• Aplikasi manufaktur semikonduktor tingkat lanjut lainnya
