Substrat Si oleh Semicera merupakan komponen penting dalam produksi perangkat semikonduktor berkinerja tinggi. Direkayasa dari Silikon (Si) dengan kemurnian tinggi, substrat ini menawarkan keseragaman, stabilitas, dan konduktivitas yang luar biasa, menjadikannya ideal untuk berbagai aplikasi tingkat lanjut dalam industri semikonduktor. Baik digunakan dalam produksi Substrat Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, atau Substrat SiN, Substrat Semicera Si memberikan kualitas yang konsisten dan kinerja unggul untuk memenuhi tuntutan elektronik modern dan ilmu material yang terus meningkat.
Performa Tak Tertandingi dengan Kemurnian dan Presisi Tinggi
Substrat Si Semicera diproduksi menggunakan proses canggih yang memastikan kemurnian tinggi dan kontrol dimensi yang ketat. Substrat berfungsi sebagai landasan untuk produksi berbagai material berperforma tinggi, termasuk Epi-Wafer dan AlN Wafer. Presisi dan keseragaman Substrat Si menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk membuat lapisan epitaksi film tipis dan komponen penting lainnya yang digunakan dalam produksi semikonduktor generasi berikutnya. Baik Anda bekerja dengan Gallium Oxide (Ga2O3) atau material canggih lainnya, Substrat Si Semicera memastikan tingkat keandalan dan kinerja tertinggi.
Aplikasi dalam Manufaktur Semikonduktor
Dalam industri semikonduktor, Substrat Si dari Semicera digunakan dalam beragam aplikasi, termasuk produksi Substrat Si Wafer dan SiC, yang menyediakan dasar yang stabil dan andal untuk pengendapan lapisan aktif. Substrat memainkan peran penting dalam pembuatan Wafer SOI (Silicon On Insulator), yang penting untuk mikroelektronika tingkat lanjut dan sirkuit terpadu. Selain itu, Epi-Wafer (wafer epitaxial) yang dibangun di atas Substrat Si merupakan bagian integral dalam memproduksi perangkat semikonduktor berkinerja tinggi seperti transistor daya, dioda, dan sirkuit terpadu.
Substrat Si juga mendukung pembuatan perangkat yang menggunakan Gallium Oxide (Ga2O3), material dengan celah pita lebar yang menjanjikan dan digunakan untuk aplikasi daya tinggi dalam elektronika daya. Selain itu, kompatibilitas Substrat Si Semicera dengan Wafer AlN dan substrat canggih lainnya memastikan bahwa substrat tersebut dapat memenuhi beragam kebutuhan industri teknologi tinggi, menjadikannya solusi ideal untuk produksi perangkat mutakhir di sektor telekomunikasi, otomotif, dan industri. .
Kualitas yang Andal dan Konsisten untuk Aplikasi Teknologi Tinggi
Substrat Si oleh Semicera dirancang dengan cermat untuk memenuhi tuntutan fabrikasi semikonduktor yang ketat. Integritas strukturalnya yang luar biasa dan sifat permukaan berkualitas tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuk digunakan dalam sistem kaset untuk pengangkutan wafer, serta untuk membuat lapisan presisi tinggi pada perangkat semikonduktor. Kemampuan media untuk mempertahankan kualitas yang konsisten dalam berbagai kondisi proses memastikan cacat minimal, sehingga meningkatkan hasil dan kinerja produk akhir.
Dengan konduktivitas termal yang unggul, kekuatan mekanik, dan kemurnian tinggi, Substrat Si Semicera adalah bahan pilihan bagi produsen yang ingin mencapai standar presisi, keandalan, dan kinerja tertinggi dalam produksi semikonduktor.
Pilih Substrat Si Semicera untuk Solusi dengan Kemurnian Tinggi dan Kinerja Tinggi
Untuk produsen di industri semikonduktor, Substrat Si dari Semicera menawarkan solusi yang kuat dan berkualitas tinggi untuk berbagai aplikasi, mulai dari produksi Si Wafer hingga pembuatan Epi-Wafer dan SOI Wafer. Dengan kemurnian, presisi, dan keandalan yang tak tertandingi, substrat ini memungkinkan produksi perangkat semikonduktor mutakhir, memastikan kinerja jangka panjang dan efisiensi optimal. Pilih Semicera untuk kebutuhan substrat Si Anda, dan percayalah pada produk yang dirancang untuk memenuhi tuntutan teknologi masa depan.
Barang | Produksi | Riset | Contoh |
Parameter Kristal | |||
Politipe | 4H | ||
Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
Parameter Listrik | |||
Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parameter Mekanik | |||
Diameter | 150,0±0,2mm | ||
Ketebalan | 350±25 m | ||
Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
Flat sekunder | Tidak ada | ||
TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
Kualitas Depan | |||
Depan | Si | ||
Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
Kualitas Kembali | |||
Selesai kembali | CMP wajah C | ||
Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
Tepian | |||
Tepian | Talang | ||
Kemasan | |||
Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
*Catatan: "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. |