Si Substrat

Deskripsi Singkat:

Dengan presisi unggul dan kemurnian tinggi, Substrat Si Semicera memastikan kinerja yang andal dan konsisten dalam aplikasi penting, termasuk manufaktur Epi-Wafer dan Gallium Oxide (Ga2O3). Dirancang untuk mendukung produksi mikroelektronika canggih, substrat ini menawarkan kompatibilitas dan stabilitas yang luar biasa, menjadikannya material penting untuk teknologi mutakhir di sektor telekomunikasi, otomotif, dan industri.


Detail Produk

Label Produk

Substrat Si oleh Semicera merupakan komponen penting dalam produksi perangkat semikonduktor berkinerja tinggi. Direkayasa dari Silikon (Si) dengan kemurnian tinggi, substrat ini menawarkan keseragaman, stabilitas, dan konduktivitas yang luar biasa, menjadikannya ideal untuk berbagai aplikasi tingkat lanjut dalam industri semikonduktor. Baik digunakan dalam produksi Substrat Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, atau Substrat SiN, Substrat Semicera Si memberikan kualitas yang konsisten dan kinerja unggul untuk memenuhi tuntutan elektronik modern dan ilmu material yang terus meningkat.

Performa Tak Tertandingi dengan Kemurnian dan Presisi Tinggi

Substrat Si Semicera diproduksi menggunakan proses canggih yang memastikan kemurnian tinggi dan kontrol dimensi yang ketat. Substrat berfungsi sebagai landasan untuk produksi berbagai material berperforma tinggi, termasuk Epi-Wafer dan AlN Wafer. Presisi dan keseragaman Substrat Si menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk membuat lapisan epitaksi film tipis dan komponen penting lainnya yang digunakan dalam produksi semikonduktor generasi berikutnya. Baik Anda bekerja dengan Gallium Oxide (Ga2O3) atau material canggih lainnya, Substrat Si Semicera memastikan tingkat keandalan dan kinerja tertinggi.

Aplikasi dalam Manufaktur Semikonduktor

Dalam industri semikonduktor, Substrat Si dari Semicera digunakan dalam beragam aplikasi, termasuk produksi Substrat Si Wafer dan SiC, yang menyediakan dasar yang stabil dan andal untuk pengendapan lapisan aktif. Substrat memainkan peran penting dalam pembuatan Wafer SOI (Silicon On Insulator), yang penting untuk mikroelektronika tingkat lanjut dan sirkuit terpadu. Selain itu, Epi-Wafer (wafer epitaxial) yang dibangun di atas Substrat Si merupakan bagian integral dalam memproduksi perangkat semikonduktor berkinerja tinggi seperti transistor daya, dioda, dan sirkuit terpadu.

Substrat Si juga mendukung pembuatan perangkat yang menggunakan Gallium Oxide (Ga2O3), material dengan celah pita lebar yang menjanjikan dan digunakan untuk aplikasi daya tinggi dalam elektronika daya. Selain itu, kompatibilitas Substrat Si Semicera dengan Wafer AlN dan substrat canggih lainnya memastikan bahwa substrat tersebut dapat memenuhi beragam kebutuhan industri teknologi tinggi, menjadikannya solusi ideal untuk produksi perangkat mutakhir di sektor telekomunikasi, otomotif, dan industri. .

Kualitas yang Andal dan Konsisten untuk Aplikasi Teknologi Tinggi

Substrat Si oleh Semicera dirancang dengan cermat untuk memenuhi tuntutan fabrikasi semikonduktor yang ketat. Integritas strukturalnya yang luar biasa dan sifat permukaan berkualitas tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuk digunakan dalam sistem kaset untuk pengangkutan wafer, serta untuk membuat lapisan presisi tinggi pada perangkat semikonduktor. Kemampuan media untuk mempertahankan kualitas yang konsisten dalam berbagai kondisi proses memastikan cacat minimal, sehingga meningkatkan hasil dan kinerja produk akhir.

Dengan konduktivitas termal yang unggul, kekuatan mekanik, dan kemurnian tinggi, Substrat Si Semicera adalah bahan pilihan bagi produsen yang ingin mencapai standar presisi, keandalan, dan kinerja tertinggi dalam produksi semikonduktor.

Pilih Substrat Si Semicera untuk Solusi dengan Kemurnian Tinggi dan Kinerja Tinggi

Untuk produsen di industri semikonduktor, Substrat Si dari Semicera menawarkan solusi yang kuat dan berkualitas tinggi untuk berbagai aplikasi, mulai dari produksi Si Wafer hingga pembuatan Epi-Wafer dan SOI Wafer. Dengan kemurnian, presisi, dan keandalan yang tak tertandingi, substrat ini memungkinkan produksi perangkat semikonduktor mutakhir, memastikan kinerja jangka panjang dan efisiensi optimal. Pilih Semicera untuk kebutuhan substrat Si Anda, dan percayalah pada produk yang dirancang untuk memenuhi tuntutan teknologi masa depan.

Barang

Produksi

Riset

Contoh

Parameter Kristal

Politipe

4H

Kesalahan orientasi permukaan

<11-20 >4±0,15°

Parameter Listrik

Dopan

Nitrogen tipe-n

Resistivitas

0,015-0,025ohm·cm

Parameter Mekanik

Diameter

150,0±0,2mm

Ketebalan

350±25 m

Orientasi datar primer

[1-100]±5°

Panjang datar primer

47,5±1,5mm

Flat sekunder

Tidak ada

TV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 m(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Busur

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Melengkung

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Kepadatan pipa mikro

<1 buah/cm2

<10 buah/cm2

<15 buah/cm2

Kotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 unit/cm2

≤3000 unit/cm2

NA

TSD

≤500 unit/cm2

≤1000 unit/cm2

NA

Kualitas Depan

Depan

Si

Permukaan akhir

CMP wajah-si

Partikel

≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm)

NA

Goresan

≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter

Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi

Tidak ada

NA

Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam

Tidak ada

Daerah politipe

Tidak ada

Area kumulatif≤20%

Area kumulatif≤30%

Penandaan laser depan

Tidak ada

Kualitas Kembali

Selesai kembali

CMP wajah C

Goresan

≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi)

Tidak ada

Kekasaran punggung

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Penandaan laser belakang

1 mm (dari tepi atas)

Tepian

Tepian

Talang

Kemasan

Kemasan

Epi-ready dengan kemasan vakum

Kemasan kaset multi-wafer

*Catatan: "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya: