Silikon Karbida Curah CVD (SiC)
Ringkasan:CVDsilikon karbida massal (SiC)adalah bahan yang sangat dicari dalam peralatan etsa plasma, aplikasi pemrosesan termal cepat (RTP), dan proses manufaktur semikonduktor lainnya. Sifat mekanik, kimia, dan termalnya yang luar biasa menjadikannya material ideal untuk aplikasi teknologi canggih yang menuntut presisi dan daya tahan tinggi.
Aplikasi SiC Massal CVD:SiC Massal sangat penting dalam industri semikonduktor, khususnya dalam sistem etsa plasma, di mana komponen seperti cincin fokus, pancuran gas, cincin tepi, dan pelat mendapat manfaat dari ketahanan korosi dan konduktivitas termal SiC yang luar biasa. Penggunaannya meluas hinggaRTPsistem karena kemampuan SiC untuk menahan fluktuasi suhu yang cepat tanpa degradasi yang signifikan.
Selain peralatan etsa, CVDSiC massaldisukai dalam tungku difusi dan proses pertumbuhan kristal, yang memerlukan stabilitas termal tinggi dan ketahanan terhadap lingkungan kimia yang keras. Atribut ini menjadikan SiC bahan pilihan untuk aplikasi dengan permintaan tinggi yang melibatkan suhu tinggi dan gas korosif, seperti yang mengandung klorin dan fluor.
Keuntungan Komponen SiC Massal CVD:
•Kepadatan Tinggi:Dengan massa jenis 3,2 g/cm³,SiC curah CVDkomponen sangat tahan terhadap keausan dan benturan mekanis.
•Konduktivitas Termal Unggul:Menawarkan konduktivitas termal sebesar 300 W/m·K, SiC massal mengelola panas secara efisien, sehingga ideal untuk komponen yang terkena siklus termal ekstrem.
•Ketahanan Kimia yang Luar Biasa:Rendahnya reaktivitas SiC dengan gas etsa, termasuk bahan kimia berbasis klorin dan fluor, memastikan masa pakai komponen yang lama.
•Resistivitas yang Dapat Disesuaikan: SiC massal CVDresistivitas dapat disesuaikan dalam kisaran 10⁻²–10⁴ Ω-cm, sehingga dapat disesuaikan dengan kebutuhan etsa dan manufaktur semikonduktor tertentu.
•Koefisien Ekspansi Termal:Dengan koefisien ekspansi termal sebesar 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), SiC curah CVD tahan guncangan termal, sehingga menjaga stabilitas dimensi bahkan selama siklus pemanasan dan pendinginan yang cepat.
•Daya Tahan dalam Plasma:Paparan plasma dan gas reaktif tidak dapat dihindari dalam proses semikonduktor, namunSiC curah CVDmenawarkan ketahanan unggul terhadap korosi dan degradasi, mengurangi frekuensi penggantian dan biaya pemeliharaan secara keseluruhan.
Spesifikasi Teknis:
•Diameter:Lebih besar dari 305 mm
•Resistivitas:Dapat disesuaikan dalam jarak 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Kepadatan:3,2 gram/cm³
•Konduktivitas Termal:300 W/m·K
•Koefisien Ekspansi Termal:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Kustomisasi dan Fleksibilitas:PadaSemikonduktor Semicera, kami memahami bahwa setiap aplikasi semikonduktor mungkin memerlukan spesifikasi yang berbeda. Itu sebabnya komponen SiC curah CVD kami sepenuhnya dapat disesuaikan, dengan resistivitas yang dapat disesuaikan dan dimensi yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan peralatan Anda. Baik Anda mengoptimalkan sistem etsa plasma atau mencari komponen tahan lama dalam proses RTP atau difusi, SiC curah CVD kami memberikan kinerja yang tak tertandingi.
