-
Kinerja Luar Biasa Kapal Wafer Silikon Karbida dalam Pertumbuhan Kristal
Proses pertumbuhan kristal merupakan inti dari fabrikasi semikonduktor, dimana produksi wafer berkualitas tinggi sangatlah penting. Komponen integral dalam proses ini adalah perahu wafer silikon karbida (SiC). Perahu wafer SiC telah mendapatkan pengakuan signifikan di industri karena kecuali...Baca selengkapnya -
Konduktivitas Termal yang Luar Biasa dari Pemanas Grafit di Bidang Termal Tungku Kristal Tunggal
Dalam bidang teknologi tungku kristal tunggal, efisiensi dan ketepatan manajemen termal adalah yang terpenting. Mencapai keseragaman dan stabilitas suhu yang optimal sangat penting dalam menumbuhkan kristal tunggal berkualitas tinggi. Untuk mengatasi tantangan ini, pemanas grafit telah muncul sebagai...Baca selengkapnya -
Stabilitas Termal Komponen Kuarsa di Industri Semikonduktor
Pendahuluan Dalam industri semikonduktor, stabilitas termal sangat penting untuk memastikan pengoperasian komponen penting yang andal dan efisien. Kuarsa, suatu bentuk kristal silikon dioksida (SiO2), telah mendapat pengakuan signifikan karena sifat stabilitas termalnya yang luar biasa. T...Baca selengkapnya -
Ketahanan Korosi Lapisan Tantalum Karbida pada Industri Semikonduktor
Judul: Ketahanan Korosi Pelapis Tantalum Karbida di Industri Semikonduktor Pendahuluan Dalam industri semikonduktor, korosi menimbulkan tantangan yang signifikan terhadap umur panjang dan kinerja komponen penting. Lapisan Tantalum karbida (TaC) telah muncul sebagai solusi menjanjikan ...Baca selengkapnya -
Bagaimana cara mengukur resistansi lembaran film tipis?
Film tipis yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor semuanya memiliki ketahanan, dan ketahanan film berdampak langsung pada kinerja perangkat. Kami biasanya tidak mengukur resistansi absolut film, namun menggunakan resistansi lembaran untuk mengkarakterisasinya. Berapakah hambatan lembaran dan hambatan volume...Baca selengkapnya -
Dapatkah penerapan lapisan silikon karbida CVD secara efektif meningkatkan masa kerja komponen?
Lapisan silikon karbida CVD merupakan teknologi yang membentuk lapisan tipis pada permukaan komponen, yang dapat membuat komponen memiliki ketahanan aus, ketahanan korosi, ketahanan suhu tinggi dan sifat lainnya yang lebih baik. Sifat luar biasa ini membuat lapisan silikon karbida CVD banyak digunakan...Baca selengkapnya -
Apakah lapisan silikon karbida CVD memiliki sifat redaman yang sangat baik?
Ya, lapisan silikon karbida CVD memiliki sifat redaman yang sangat baik. Redaman mengacu pada kemampuan suatu benda untuk menghilangkan energi dan mengurangi amplitudo getaran ketika benda tersebut terkena getaran atau benturan. Dalam banyak aplikasi, sifat redaman sangat penting...Baca selengkapnya -
Semikonduktor silikon karbida: masa depan yang ramah lingkungan dan efisien
Di bidang bahan semikonduktor, silikon karbida (SiC) telah muncul sebagai kandidat yang menjanjikan untuk semikonduktor generasi berikutnya yang efisien dan ramah lingkungan. Dengan sifat dan potensinya yang unik, semikonduktor silikon karbida membuka jalan bagi...Baca selengkapnya -
Prospek penerapan kapal wafer silikon karbida di bidang semikonduktor
Di bidang semikonduktor, pemilihan material sangat penting untuk kinerja perangkat dan pengembangan proses. Dalam beberapa tahun terakhir, wafer silikon karbida, sebagai bahan baru, telah menarik perhatian luas dan menunjukkan potensi besar untuk diterapkan di bidang semikonduktor. silika...Baca selengkapnya -
Prospek penerapan keramik silikon karbida di bidang energi surya fotovoltaik
Dalam beberapa tahun terakhir, seiring dengan meningkatnya permintaan global akan energi terbarukan, energi surya fotovoltaik menjadi semakin penting sebagai pilihan energi yang bersih dan berkelanjutan. Dalam perkembangan teknologi fotovoltaik, ilmu material memegang peranan penting. Diantaranya, keramik silikon karbida,...Baca selengkapnya -
Metode persiapan bagian grafit berlapis TaC umum
PART/1 Metode CVD (Chemical Vapour Deposition): Pada 900-2300℃, menggunakan TaCl5 dan CnHm sebagai tantalum dan sumber karbon, H₂ sebagai atmosfer pereduksi, gas pembawa Ar₂as, film pengendapan reaksi. Lapisan yang disiapkan kompak, seragam dan kemurniannya tinggi. Namun, ada beberapa pro...Baca selengkapnya -
Penerapan bagian grafit berlapis TaC
BAGIAN/1 Wadah, tempat benih dan cincin pemandu dalam tungku kristal tunggal SiC dan AIN ditanam dengan metode PVT Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2 [1], ketika metode transpor uap fisik (PVT) digunakan untuk menyiapkan SiC, kristal benih berada dalam wilayah suhu yang relatif rendah, SiC ...Baca selengkapnya