Saat ini, metode persiapanlapisan SiCterutama mencakup metode gel-sol, metode penyematan, metode pelapisan kuas, metode penyemprotan plasma, metode reaksi uap kimia (CVR) dan metode deposisi uap kimia (CVD).
Metode penyematan
Metode ini adalah sejenis sintering fase padat suhu tinggi, yang terutama menggunakan bubuk Si dan bubuk C sebagai bubuk penyemat, menempatkanmatriks grafitdalam bubuk penyematan, dan disinter pada suhu tinggi dalam gas inert, dan akhirnya diperolehlapisan SiCpada permukaan matriks grafit. Metode ini prosesnya sederhana, lapisan dan matriksnya terikat dengan baik, tetapi keseragaman lapisan sepanjang arah ketebalannya buruk, dan mudah untuk menghasilkan lebih banyak lubang, sehingga ketahanan oksidasinya buruk.
Metode pelapisan kuas
Metode pelapisan kuas terutama menyikat bahan mentah cair pada permukaan matriks grafit, dan kemudian memadatkan bahan mentah pada suhu tertentu untuk menyiapkan pelapis. Metode ini prosesnya sederhana dan biayanya rendah, tetapi pelapisan yang dibuat dengan metode pelapisan kuas memiliki ikatan yang lemah dengan matriks, keseragaman pelapisan yang buruk, pelapisan tipis dan ketahanan oksidasi yang rendah, serta memerlukan metode lain untuk membantu.
Metode penyemprotan plasma
Metode penyemprotan plasma terutama menggunakan pistol plasma untuk menyemprotkan bahan mentah cair atau setengah cair pada permukaan substrat grafit, kemudian mengeras dan mengikat membentuk lapisan. Cara ini mudah dioperasikan dan dapat menyiapkan adonan yang relatif padatlapisan silikon karbida, tapilapisan silikon karbidayang dibuat dengan metode ini seringkali terlalu lemah untuk memiliki ketahanan oksidasi yang kuat, sehingga umumnya digunakan untuk membuat pelapis komposit SiC untuk meningkatkan kualitas pelapisan.
Metode gel-sol
Metode gel-sol terutama menyiapkan larutan sol yang seragam dan transparan untuk menutupi permukaan substrat, mengeringkannya menjadi gel, dan kemudian menyinternya untuk mendapatkan lapisan. Metode ini mudah dioperasikan dan berbiaya rendah, namun lapisan yang disiapkan memiliki kelemahan seperti ketahanan guncangan termal yang rendah dan mudah retak, serta tidak dapat digunakan secara luas.
Metode reaksi uap kimia (CVR)
CVR terutama menghasilkan uap SiO dengan menggunakan bubuk Si dan SiO2 pada suhu tinggi, dan serangkaian reaksi kimia terjadi pada permukaan substrat bahan C untuk menghasilkan lapisan SiC. Lapisan SiC yang dibuat dengan metode ini terikat erat pada substrat, tetapi suhu reaksinya tinggi dan biayanya juga tinggi.
Waktu posting: 24 Juni-2024