-
Proses Pembuatan Semikonduktor – Teknologi Etch
Ratusan proses diperlukan untuk mengubah wafer menjadi semikonduktor. Salah satu proses terpenting adalah etsa - yaitu mengukir pola sirkuit halus pada wafer. Keberhasilan proses etsa bergantung pada pengelolaan berbagai variabel dalam rentang distribusi yang ditetapkan, dan setiap etsa...Baca selengkapnya -
Bahan Ideal untuk Cincin Fokus pada Peralatan Etsa Plasma: Silicon Carbide (SiC)
Dalam peralatan etsa plasma, komponen keramik memainkan peran penting, termasuk cincin fokus. Cincin fokus, ditempatkan di sekitar wafer dan bersentuhan langsung dengannya, penting untuk memfokuskan plasma ke wafer dengan memberikan tegangan ke cincin. Hal ini meningkatkan ...Baca selengkapnya -
Front End of Line (FEOL): Meletakkan Fondasi
Ujung depan jalur produksi ibarat meletakkan pondasi dan membangun dinding rumah. Dalam pembuatan semikonduktor, tahap ini melibatkan pembuatan struktur dasar dan transistor pada wafer silikon. Langkah-Langkah Utama FEOL: ...Baca selengkapnya -
Pengaruh pemrosesan kristal tunggal silikon karbida terhadap kualitas permukaan wafer
Perangkat daya semikonduktor menempati posisi inti dalam sistem elektronika daya, terutama dalam konteks pesatnya perkembangan teknologi seperti kecerdasan buatan, komunikasi 5G, dan kendaraan energi baru, persyaratan kinerjanya telah ...Baca selengkapnya -
Bahan inti utama untuk pertumbuhan SiC: Lapisan Tantalum karbida
Saat ini semikonduktor generasi ketiga didominasi oleh silikon karbida. Dalam struktur biaya perangkatnya, substrat menyumbang 47%, dan epitaksi menyumbang 23%. Keduanya bersama-sama menyumbang sekitar 70%, yang merupakan bagian terpenting dari pabrikan perangkat silikon karbida...Baca selengkapnya -
Bagaimana produk berlapis tantalum karbida meningkatkan ketahanan material terhadap korosi?
Lapisan karbida Tantalum adalah teknologi perawatan permukaan yang umum digunakan yang dapat meningkatkan ketahanan korosi material secara signifikan. Lapisan karbida Tantalum dapat dilekatkan pada permukaan substrat melalui metode persiapan yang berbeda, seperti deposisi uap kimia, fisika...Baca selengkapnya -
Kemarin, Dewan Inovasi Sains dan Teknologi mengeluarkan pengumuman bahwa Huazhuo Precision Technology menghentikan IPO-nya!
Baru saja mengumumkan pengiriman peralatan anil laser SIC 8 inci pertama di Tiongkok, yang juga merupakan teknologi Tsinghua; Mengapa mereka sendiri yang menarik materi tersebut? Sekadar beberapa kata: Pertama, produknya terlalu beragam! Sekilas, saya tidak tahu apa yang mereka lakukan. Saat ini, H...Baca selengkapnya -
Lapisan silikon karbida CVD-2
Lapisan silikon karbida CVD 1. Mengapa ada lapisan silikon karbida Lapisan epitaksial adalah film tipis kristal tunggal spesifik yang ditumbuhkan berdasarkan wafer melalui proses epitaksial. Wafer substrat dan film tipis epitaksi secara kolektif disebut wafer epitaksi. Diantaranya,...Baca selengkapnya -
Proses persiapan pelapisan SIC
Saat ini, metode preparasi pelapisan SiC terutama mencakup metode gel-sol, metode embedding, metode pelapisan kuas, metode penyemprotan plasma, metode reaksi uap kimia (CVR) dan metode deposisi uap kimia (CVD). Metode penyematanMetode ini adalah sejenis metode fase padat bersuhu tinggi ...Baca selengkapnya -
Lapisan Silikon Karbida CVD-1
Apa itu CVD SiC Deposisi uap kimia (CVD) adalah proses deposisi vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan padat dengan kemurnian tinggi. Proses ini sering digunakan dalam bidang manufaktur semikonduktor untuk membentuk film tipis pada permukaan wafer. Dalam proses pembuatan SiC dengan CVD, substrat dieksp...Baca selengkapnya -
Analisis struktur dislokasi pada kristal SiC dengan simulasi ray tracing dibantu pencitraan topologi sinar-X
Latar belakang penelitian Pentingnya penerapan silikon karbida (SiC): Sebagai bahan semikonduktor celah pita lebar, silikon karbida telah menarik banyak perhatian karena sifat listriknya yang sangat baik (seperti celah pita lebih besar, kecepatan saturasi elektron lebih tinggi, dan konduktivitas termal). Alat peraga ini...Baca selengkapnya -
Proses penyiapan kristal benih dalam pertumbuhan kristal tunggal SiC3
Verifikasi PertumbuhanKristal benih silikon karbida (SiC) disiapkan mengikuti proses yang diuraikan dan divalidasi melalui pertumbuhan kristal SiC. Platform pertumbuhan yang digunakan adalah tungku pertumbuhan induksi SiC yang dikembangkan sendiri dengan suhu pertumbuhan 2200℃, tekanan pertumbuhan 200 Pa, dan ...Baca selengkapnya