-
Apa itu Tantalum Karbida?
Tantalum karbida (TaC) adalah senyawa biner tantalum dan karbon dengan rumus kimia TaC x, dengan x biasanya bervariasi antara 0,4 dan 1. Bahan keramik ini sangat keras, rapuh, tahan api dengan konduktivitas logam. Itu adalah bubuk coklat keabu-abuan dan apakah kita...Baca selengkapnya -
apa itu tantalum karbida
Tantalum karbida (TaC) adalah bahan keramik suhu sangat tinggi dengan ketahanan suhu tinggi, kepadatan tinggi, kekompakan tinggi; kemurnian tinggi, kandungan pengotor <5PPM; dan kelembaman kimia terhadap amonia dan hidrogen pada suhu tinggi, dan stabilitas termal yang baik. Apa yang disebut ultra-tinggi ...Baca selengkapnya -
Apa itu epitaksi?
Kebanyakan insinyur tidak terbiasa dengan epitaksi, yang memainkan peran penting dalam pembuatan perangkat semikonduktor. Epitaksi dapat digunakan dalam produk chip yang berbeda, dan produk yang berbeda memiliki jenis epitaksi yang berbeda, termasuk epitaksi Si, epitaksi SiC, epitaksi GaN, dll. Apa itu epitaksi?Epitaksi adalah...Baca selengkapnya -
Apa parameter penting dari SiC?
Silikon karbida (SiC) adalah bahan semikonduktor celah pita lebar penting yang banyak digunakan pada perangkat elektronik berdaya tinggi dan frekuensi tinggi. Berikut ini adalah beberapa parameter utama wafer silikon karbida dan penjelasan detailnya: Parameter Kisi: Pastikan ...Baca selengkapnya -
Mengapa silikon kristal tunggal perlu digulung?
Penggulungan mengacu pada proses penggilingan diameter luar batang kristal tunggal silikon menjadi batang kristal tunggal dengan diameter yang diperlukan menggunakan roda gerinda berlian, dan menggiling permukaan referensi tepi datar atau alur posisi batang kristal tunggal. Permukaan diameter luar...Baca selengkapnya -
Proses Produksi Bubuk SiC Berkualitas Tinggi
Silikon karbida (SiC) adalah senyawa anorganik yang dikenal karena sifatnya yang luar biasa. SiC alami, yang dikenal sebagai moissanite, cukup langka. Dalam aplikasi industri, silikon karbida sebagian besar diproduksi melalui metode sintetis. Di Semicera Semiconductor, kami memanfaatkan teknik canggih...Baca selengkapnya -
Kontrol keseragaman resistivitas radial selama penarikan kristal
Alasan utama yang mempengaruhi keseragaman resistivitas radial kristal tunggal adalah kerataan antarmuka padat-cair dan efek bidang kecil selama pertumbuhan kristal. Pengaruh kerataan antarmuka padat-cair Selama pertumbuhan kristal, jika lelehan diaduk secara merata , itu...Baca selengkapnya -
Mengapa tungku kristal tunggal medan magnet dapat meningkatkan kualitas kristal tunggal
Karena wadah digunakan sebagai wadah dan terdapat konveksi di dalamnya, seiring dengan bertambahnya ukuran kristal tunggal yang dihasilkan, konveksi panas dan keseragaman gradien suhu menjadi lebih sulit dikendalikan. Dengan menambahkan medan magnet untuk membuat lelehan konduktif bekerja berdasarkan gaya Lorentz, konveksi dapat...Baca selengkapnya -
Pertumbuhan cepat kristal tunggal SiC menggunakan sumber curah CVD-SiC dengan metode sublimasi
Pertumbuhan Cepat Kristal Tunggal SiC Menggunakan Sumber Massal CVD-SiC melalui Metode SublimasiDengan menggunakan blok CVD-SiC daur ulang sebagai sumber SiC, kristal SiC berhasil ditumbuhkan dengan kecepatan 1,46 mm/jam melalui metode PVT. Mikropipe kristal yang tumbuh dan kepadatan dislokasi menunjukkan bahwa ...Baca selengkapnya -
Konten yang Dioptimalkan dan Diterjemahkan pada Peralatan Pertumbuhan Epitaxial Silikon Karbida
Substrat silikon karbida (SiC) memiliki banyak cacat yang menghalangi pemrosesan langsung. Untuk membuat wafer chip, film kristal tunggal tertentu harus ditanam pada substrat SiC melalui proses epitaksi. Film ini dikenal sebagai lapisan epitaksi. Hampir semua perangkat SiC direalisasikan pada epitaxial...Baca selengkapnya -
Peran Penting dan Kasus Penerapan Susceptor Grafit Berlapis SiC dalam Manufaktur Semikonduktor
Semicera Semiconductor berencana meningkatkan produksi komponen inti untuk peralatan manufaktur semikonduktor secara global. Pada tahun 2027, kami bertujuan untuk mendirikan pabrik baru seluas 20.000 meter persegi dengan total investasi sebesar 70 juta USD. Salah satu komponen inti kami, wafer silikon karbida (SiC) dibawa...Baca selengkapnya -
Mengapa kita perlu melakukan epitaksi pada substrat wafer silikon?
Dalam rantai industri semikonduktor, khususnya pada rantai industri semikonduktor generasi ketiga (wide bandgap semiconductor), terdapat lapisan substrat dan epitaksi. Apa pentingnya lapisan epitaksial? Apa perbedaan antara substrat dan substrat? Substrat...Baca selengkapnya