Film tipis yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor semuanya memiliki ketahanan, dan ketahanan film berdampak langsung pada kinerja perangkat. Kami biasanya tidak mengukur resistansi absolut film, namun menggunakan resistansi lembaran untuk mengkarakterisasinya.
Apa yang dimaksud dengan tahanan lembaran dan resistivitas volume?
Resistivitas volume, juga dikenal sebagai resistivitas volume, adalah sifat bawaan suatu material yang mencirikan seberapa besar material tersebut menghambat aliran arus listrik. Simbol yang umum digunakan mewakili ρ, satuannya adalah Ω.
Resistansi lembaran, juga dikenal sebagai resistansi lembaran, nama Inggrisnya adalah resistansi lembaran, yang mengacu pada nilai resistansi film per satuan luas. Simbol yang umum digunakan Rs atau ρs untuk menyatakan, satuannya adalah Ω/sq atau Ω/□
Hubungan keduanya adalah: resistansi lembaran = resistivitas volume/ketebalan film, yaitu Rs =ρ/t
Mengapa mengukur resistansi lembaran?
Mengukur resistansi absolut suatu film memerlukan pengetahuan yang tepat tentang dimensi geometris film (panjang, lebar, tebal), yang memiliki banyak variabel dan sangat kompleks untuk film yang sangat tipis atau bentuknya tidak beraturan. Ketahanan lembaran hanya berhubungan dengan ketebalan film dan dapat diuji dengan cepat dan langsung tanpa perhitungan ukuran yang rumit.
Film mana yang perlu mengukur ketahanan lembaran?
Umumnya, film konduktif dan film semikonduktor perlu diukur resistansi perseginya, sedangkan film isolasi tidak perlu diukur.
Dalam doping semikonduktor, resistansi lembaran silikon juga diukur.
Bagaimana cara mengukur resistansi persegi?
Metode empat probe umumnya digunakan di industri. Metode empat probe dapat mengukur resistansi persegi mulai dari 1E-3 hingga 1E+9Ω/sq. Metode empat probe dapat menghindari kesalahan pengukuran akibat adanya resistansi kontak antara probe dan sampel.
Metode pengukuran:
1) Letakkan empat probe yang disusun secara linier pada permukaan sampel.
2) Berikan arus konstan antara dua probe luar.
3) Tentukan resistansi dengan mengukur beda potensial antara dua probe internal
RS : resistansi lembaran
ΔV: Perubahan tegangan diukur antara probe internal
I : Arus diterapkan di antara probe luar
Waktu posting: 29 Maret 2024