Susceptor MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaxial

Deskripsi Singkat:

Suseptor pertumbuhan epitaksi MOCVD Semicera yang mutakhir memajukan proses pertumbuhan epitaksi. Susceptor kami yang dirancang dengan cermat dirancang untuk mengoptimalkan pengendapan material dan memastikan pertumbuhan epitaksi yang tepat dalam manufaktur semikonduktor.

Berfokus pada presisi dan kualitas, suseptor pertumbuhan epitaksi MOCVD adalah bukti komitmen Semicera terhadap keunggulan dalam peralatan semikonduktor. Percayakan keahlian Semicera untuk memberikan kinerja dan keandalan yang unggul di setiap siklus pertumbuhan.


Detail Produk

Label Produk

Keterangan

Susceptor MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaxial oleh semicera, solusi terkemuka yang dirancang untuk mengoptimalkan proses pertumbuhan epitaxial untuk aplikasi semikonduktor tingkat lanjut. Susceptor MOCVD Semicera memastikan kontrol yang tepat terhadap suhu dan deposisi material, menjadikannya pilihan ideal untuk mencapai Si Epitaxy dan SiC Epitaxy berkualitas tinggi. Konstruksinya yang kuat dan konduktivitas termal yang tinggi memungkinkan kinerja yang konsisten dalam lingkungan yang menuntut, memastikan keandalan yang diperlukan untuk sistem pertumbuhan epitaksi.

Susceptor MOCVD ini kompatibel dengan berbagai aplikasi epitaksi, termasuk produksi Silikon Monokristalin dan pertumbuhan GaN pada SiC Epitaxy, menjadikannya komponen penting bagi produsen yang mencari hasil terbaik. Selain itu, ia bekerja secara lancar dengan sistem PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, dan RTP Carrier, sehingga meningkatkan efisiensi proses dan hasil. Susceptor ini juga cocok untuk aplikasi LED Epitaxial Susceptor dan proses manufaktur semikonduktor canggih lainnya.

Dengan desain serbaguna, susceptor MOCVD semicera dapat diadaptasi untuk digunakan pada Pancake Susceptors dan Barrel Susceptors, menawarkan fleksibilitas dalam pengaturan produksi yang berbeda. Integrasi Bagian Fotovoltaik semakin memperluas penerapannya, menjadikannya ideal untuk industri semikonduktor dan tenaga surya. Solusi berkinerja tinggi ini memberikan stabilitas dan daya tahan termal yang sangat baik, memastikan efisiensi jangka panjang dalam proses pertumbuhan epitaksi.

Fitur Utama

1. Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi

2. Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal

3. Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan halus

4. Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia

Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:

SiC-CVD
Kepadatan (g/cc) 3.21
Kekuatan lentur (Mpa) 470
Ekspansi termal (10-6/K) 4
Konduktivitas termal (W/mK) 300

Pengepakan dan Pengiriman

Kemampuan Pasokan:
10000 Potongan/potongan per Bulan
Pengemasan & Pengiriman:
Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
Polybag + Kotak + Karton + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Waktu Pimpin:

Jumlah (Potongan) 1 – 1000 >1000
Perkiraan. Waktu (hari) 30 Untuk dinegosiasikan
Tempat Kerja Semicera
Tempat kerja Semicera 2
Mesin peralatan
Pemrosesan CNN, pembersihan kimia, pelapisan CVD
Gudang Semicera
Layanan kami

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya: