Cincin SiC CVD Fokus

Deskripsi Singkat:

Focus CVD adalah metode deposisi uap kimia khusus yang menggunakan kondisi reaksi spesifik dan parameter kontrol untuk mencapai kontrol fokus lokal pada deposisi material. Dalam pembuatan cincin fokus CVD SiC, area fokus mengacu pada bagian spesifik dari struktur cincin yang akan menerima pengendapan utama untuk membentuk bentuk dan ukuran tertentu yang diperlukan.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Mengapa Fokus CVD SiC Ring?

FokusCincin SiC CVDadalah bahan cincin silikon karbida (SiC) yang dibuat dengan teknologi Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD).

FokusCincin SiC CVDmemiliki banyak karakteristik kinerja yang sangat baik. Pertama, ia memiliki kekerasan tinggi, titik leleh tinggi, dan ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, serta dapat menjaga stabilitas dan integritas struktural dalam kondisi suhu ekstrem. Kedua, FokusCincin SiC CVDmemiliki stabilitas kimia dan ketahanan korosi yang sangat baik, serta memiliki ketahanan yang tinggi terhadap media korosif seperti asam dan basa. Selain itu, ia juga memiliki konduktivitas termal dan kekuatan mekanik yang sangat baik, sehingga cocok untuk persyaratan aplikasi di lingkungan bersuhu tinggi, bertekanan tinggi, dan korosif.

FokusCincin SiC CVDbanyak digunakan di berbagai bidang. Ini sering digunakan untuk isolasi termal dan bahan perlindungan peralatan bersuhu tinggi, seperti tungku bersuhu tinggi, perangkat vakum, dan reaktor kimia. Selain itu, FokusCincin SiC CVDjuga dapat digunakan dalam optoelektronik, manufaktur semikonduktor, mesin presisi, dan ruang angkasa, memberikan toleransi dan keandalan lingkungan berkinerja tinggi.

Keunggulan kami, mengapa memilih Semicera?

✓Kualitas terbaik di pasar Cina

✓Pelayanan yang baik selalu untuk Anda, 7*24 jam

✓Tanggal pengiriman yang singkat

✓MOQ kecil diterima dan diterima

✓Layanan khusus

Aplikasi

Suseptor Pertumbuhan Epitaksi

Wafer silikon/silikon karbida harus melalui berbagai proses untuk dapat digunakan pada perangkat elektronik. Proses penting adalah epitaksi silikon/sic, di mana wafer silikon/sic dilakukan pada basis grafit. Keuntungan khusus dari basis grafit berlapis silikon karbida Semicera mencakup kemurnian yang sangat tinggi, lapisan yang seragam, dan masa pakai yang sangat lama. Mereka juga memiliki ketahanan kimia dan stabilitas termal yang tinggi.

Suseptor Epitaksi Silikon

Suseptor Epitaksi Silikon Karbida

Produksi Chip LED

Selama pelapisan ekstensif reaktor MOCVD, dasar planet atau pembawa menggerakkan wafer substrat. Kinerja bahan dasar mempunyai pengaruh yang besar terhadap kualitas lapisan, yang selanjutnya mempengaruhi tingkat scrap chip. Basis berlapis silikon karbida Semicera meningkatkan efisiensi produksi wafer LED berkualitas tinggi dan meminimalkan penyimpangan panjang gelombang. Kami juga menyediakan komponen grafit tambahan untuk semua reaktor MOCVD yang saat ini digunakan. Kita dapat melapisi hampir semua komponen dengan lapisan silikon karbida, meskipun diameter komponen mencapai 1,5M, kita masih dapat melapisi dengan silikon karbida.

Penerima Epitaksi LED

Bidang Semikonduktor, Proses Difusi Oksidasi, Dll.

Dalam proses semikonduktor, proses ekspansi oksidasi memerlukan kemurnian produk yang tinggi, dan di Semicera kami menawarkan layanan pelapisan khusus dan CVD untuk sebagian besar komponen silikon karbida.

Gambar berikut menunjukkan bubur silikon karbida Semicea yang diproses secara kasar dan tabung tungku silikon karbida yang dibersihkan dalam 1000-tingkatbebas deburuang. Pekerja kami bekerja sebelum pelapisan. Kemurnian silikon karbida kami dapat mencapai 99,99%, dan kemurnian lapisan sic lebih besar dari 99,99995%.