Epitaksi LED biru/hijau dari semicera menawarkan solusi mutakhir untuk manufaktur LED berkinerja tinggi. Dirancang untuk mendukung proses pertumbuhan epitaksi tingkat lanjut, teknologi epitaksi LED Biru/hijau semicera meningkatkan efisiensi dan presisi dalam memproduksi LED biru dan hijau, yang penting untuk berbagai aplikasi optoelektronik. Memanfaatkan Si Epitaxy dan SiC Epitaxy yang canggih, solusi ini memastikan kualitas dan daya tahan yang sangat baik.
Dalam proses manufaktur, MOCVD Susceptor memainkan peran penting, bersama dengan komponen seperti PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, dan RTP Carrier, yang mengoptimalkan lingkungan pertumbuhan epitaksi. Epitaksi LED Biru/hijau Semicera dirancang untuk memberikan dukungan stabil untuk Susceptor Epitaxial LED, Susceptor Barel, dan Silikon Monokristalin, memastikan produksi hasil yang konsisten dan berkualitas tinggi.
Proses epitaksi ini sangat penting untuk membuat Bagian Fotovoltaik dan mendukung aplikasi seperti GaN pada SiC Epitaxy, sehingga meningkatkan efisiensi semikonduktor secara keseluruhan. Baik dalam konfigurasi Pancake Susceptor atau digunakan dalam pengaturan lanjutan lainnya, solusi epitaksi LED Biru/hijau semicera menawarkan kinerja yang andal, membantu produsen memenuhi permintaan yang terus meningkat akan komponen LED berkualitas tinggi.
Fitur utama:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan deposisi uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama dariLapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase FCC β | |
| Kepadatan | gram/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran Butir | m | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Felekural | MPa (RT 4 poin) | 415 |
| Modulus Muda | IPK (tikungan 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ekspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
