Substrat SiC Konduktif tipe-n 8 lnch memberikan kinerja tak tertandingi untuk perangkat elektronik daya, memberikan konduktivitas termal yang sangat baik, tegangan tembus yang tinggi, dan kualitas yang sangat baik untuk aplikasi semikonduktor tingkat lanjut. Semicera menyediakan solusi terdepan di industri dengan Substrat SiC Konduktif tipe-n 8 lnch yang direkayasa.
Substrat SiC Konduktif tipe-n 8 lnch dari Semicera adalah material mutakhir yang dirancang untuk memenuhi permintaan elektronika daya dan aplikasi semikonduktor berkinerja tinggi yang terus meningkat. Substrat ini menggabungkan keunggulan silikon karbida dan konduktivitas tipe-n untuk menghasilkan kinerja tak tertandingi pada perangkat yang memerlukan kepadatan daya tinggi, efisiensi termal, dan keandalan.
Substrat SiC Konduktif tipe-n 8 lnch dari Semicera dibuat dengan cermat untuk memastikan kualitas dan konsistensi yang unggul. Ini memiliki konduktivitas termal yang sangat baik untuk pembuangan panas yang efisien, menjadikannya ideal untuk aplikasi berdaya tinggi seperti inverter daya, dioda, dan transistor. Selain itu, tegangan rusaknya yang tinggi pada substrat ini memastikan substrat ini tahan terhadap kondisi yang berat, sehingga menyediakan platform yang kuat untuk perangkat elektronik berperforma tinggi.
Semicera menyadari peran penting Substrat SiC Konduktif tipe-n 8 lnch dalam kemajuan teknologi semikonduktor. Substrat kami diproduksi menggunakan proses canggih untuk memastikan kepadatan cacat minimal, yang sangat penting untuk pengembangan perangkat yang efisien. Perhatian terhadap detail ini memungkinkan produk yang mendukung produksi elektronik generasi berikutnya memiliki kinerja dan daya tahan lebih tinggi.
Substrat SiC Konduktif tipe n 8 lnch kami juga dirancang untuk memenuhi kebutuhan berbagai aplikasi mulai dari otomotif hingga energi terbarukan. Konduktivitas tipe-n memberikan sifat listrik yang diperlukan untuk mengembangkan perangkat daya yang efisien, menjadikan substrat ini sebagai komponen kunci dalam transisi ke teknologi yang lebih hemat energi.
Di Semicera, kami berkomitmen menyediakan substrat yang mendorong inovasi dalam manufaktur semikonduktor. Substrat SiC Konduktif tipe-n 8 lnch merupakan bukti dedikasi kami terhadap kualitas dan keunggulan, memastikan pelanggan kami menerima material terbaik untuk aplikasi mereka.
Parameter dasar
| Ukuran | 8 inci |
| Diameter | 200,0mm+0mm/-0,2mm |
| Orientasi Permukaan | off-axis:4° menuju <1120>士0,5° |
| Orientasi Takik | <1100>士1° |
| Sudut Takik | 90°+5°/-1° |
| Kedalaman Takik | 1mm+0,25mm/-0mm |
| Flat Sekunder | / |
| Ketebalan | 500.0士25.0um/350.0±25.0um |
| Politipe | 4H |
| Tipe Konduktif | tipe-n |
