Wafer SiC tipe N 8 inci dari Semicera berada di garis depan inovasi semikonduktor, memberikan dasar yang kokoh untuk pengembangan perangkat elektronik berkinerja tinggi. Wafer ini dirancang untuk memenuhi tuntutan ketat aplikasi elektronik modern, mulai dari elektronika daya hingga sirkuit frekuensi tinggi.
Doping tipe-N pada wafer SiC ini meningkatkan konduktivitas listriknya, menjadikannya ideal untuk berbagai aplikasi, termasuk dioda daya, transistor, dan amplifier. Konduktivitas yang unggul memastikan kehilangan energi minimal dan pengoperasian yang efisien, yang sangat penting untuk perangkat yang beroperasi pada frekuensi dan tingkat daya tinggi.
Semicera menggunakan teknik manufaktur canggih untuk menghasilkan wafer SiC dengan keseragaman permukaan yang luar biasa dan cacat minimal. Tingkat presisi ini penting untuk aplikasi yang memerlukan kinerja dan daya tahan yang konsisten, seperti industri dirgantara, otomotif, dan telekomunikasi.
Memasukkan Wafer SiC tipe N 8 Inci dari Semicera ke dalam lini produksi Anda memberikan landasan untuk menciptakan komponen yang tahan terhadap lingkungan keras dan suhu tinggi. Wafer ini sempurna untuk aplikasi dalam konversi daya, teknologi RF, dan bidang menuntut lainnya.
Memilih Wafer SiC tipe N 8 Inci dari Semicera berarti berinvestasi pada produk yang menggabungkan ilmu material berkualitas tinggi dengan teknik presisi. Semicera berkomitmen untuk memajukan kemampuan teknologi semikonduktor, menawarkan solusi yang meningkatkan efisiensi dan keandalan perangkat elektronik Anda.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
