Wafer SiC HPSI Semi-Insulasi 6 Inci dari Semicera dirancang untuk memenuhi tuntutan ketat teknologi semikonduktor modern. Dengan kemurnian dan konsistensi yang luar biasa, wafer ini berfungsi sebagai landasan yang andal untuk mengembangkan komponen elektronik berefisiensi tinggi.
Wafer SiC HPSI ini dikenal dengan konduktivitas termal dan isolasi listriknya yang luar biasa, yang sangat penting untuk mengoptimalkan kinerja perangkat listrik dan sirkuit frekuensi tinggi. Sifat semi-isolasi membantu meminimalkan gangguan listrik dan memaksimalkan efisiensi perangkat.
Proses manufaktur berkualitas tinggi yang dilakukan oleh Semicera memastikan setiap wafer memiliki ketebalan yang seragam dan cacat permukaan yang minimal. Ketepatan ini penting untuk aplikasi tingkat lanjut seperti perangkat frekuensi radio, inverter daya, dan sistem LED, yang mana kinerja dan daya tahan merupakan faktor kuncinya.
Dengan memanfaatkan teknik produksi tercanggih, Semicera menyediakan wafer yang tidak hanya memenuhi tetapi juga melampaui standar industri. Ukuran 6 inci menawarkan fleksibilitas dalam meningkatkan produksi, melayani penelitian dan aplikasi komersial di sektor semikonduktor.
Memilih Wafer SiC HPSI Semi-Insulasi 6 Inci dari Semicera berarti berinvestasi pada produk yang memberikan kualitas dan kinerja yang konsisten. Wafer ini adalah bagian dari komitmen Semicera untuk memajukan kemampuan teknologi semikonduktor melalui bahan inovatif dan pengerjaan yang cermat.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
