Wafer SiC tipe N 6 inci dari Semicera berdiri di garis depan teknologi semikonduktor. Dibuat untuk kinerja optimal, wafer ini unggul dalam aplikasi daya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi, yang penting untuk perangkat elektronik canggih.
Wafer SiC tipe N 6 inci kami memiliki fitur mobilitas elektron tinggi dan resistansi rendah, yang merupakan parameter penting untuk perangkat daya seperti MOSFET, dioda, dan komponen lainnya. Properti ini memastikan konversi energi yang efisien dan mengurangi pembangkitan panas, sehingga meningkatkan kinerja dan masa pakai sistem elektronik.
Proses kontrol kualitas Semicera yang ketat memastikan bahwa setiap wafer SiC mempertahankan kerataan permukaan yang sangat baik dan cacat minimal. Perhatian yang cermat terhadap detail ini memastikan bahwa wafer kami memenuhi persyaratan ketat industri seperti otomotif, dirgantara, dan telekomunikasi.
Selain sifat listriknya yang unggul, wafer SiC tipe-N menawarkan stabilitas termal yang kuat dan ketahanan terhadap suhu tinggi, sehingga ideal untuk lingkungan di mana material konvensional mungkin rusak. Kemampuan ini sangat berharga dalam aplikasi yang melibatkan operasi frekuensi tinggi dan daya tinggi.
Dengan memilih Wafer SiC tipe N 6 Inci dari Semicera, Anda berinvestasi pada produk yang mewakili puncak inovasi semikonduktor. Kami berkomitmen untuk menyediakan landasan bagi perangkat-perangkat mutakhir, memastikan bahwa mitra kami di berbagai industri memiliki akses terhadap material terbaik untuk kemajuan teknologi mereka.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
