1.TentangWafer Epitaksi Silikon Karbida (SiC).
Wafer epitaksi Silicon Carbide (SiC) dibentuk dengan mendeposisikan lapisan kristal tunggal pada wafer menggunakan wafer kristal tunggal silikon karbida sebagai substrat, biasanya dengan deposisi uap kimia (CVD). Diantaranya, epitaksi silikon karbida dibuat dengan menumbuhkan lapisan epitaksi silikon karbida pada substrat silikon karbida konduktif, dan selanjutnya dibuat menjadi perangkat berkinerja tinggi.
2.Wafer Epitaksi Silikon KarbidaSpesifikasi
Kami dapat menyediakan wafer epitaksi 4H-SiC tipe N 4, 6, 8 inci. Wafer epitaksi memiliki bandwidth yang besar, kecepatan penyimpangan elektron saturasi tinggi, gas elektron dua dimensi berkecepatan tinggi, dan kekuatan medan tembus yang tinggi. Properti ini membuat perangkat tahan suhu tinggi, tahan tegangan tinggi, kecepatan peralihan cepat, resistansi rendah, ukuran kecil dan ringan.
3. Aplikasi Epitaksi SiC
wafer epitaksi SiCterutama digunakan dalam dioda Schottky (SBD), transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET), transistor efek medan persimpangan (JFET), transistor persimpangan bipolar (BJT), thyristor (SCR), transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT), yang digunakan pada bidang tegangan rendah, tegangan menengah, dan tegangan tinggi. Saat ini,wafer epitaksi SiCuntuk aplikasi tegangan tinggi sedang dalam tahap penelitian dan pengembangan di seluruh dunia.
