Ingot SiC Semi-Insulasi Kemurnian Tinggi 4”6” dari Semicera dirancang untuk memenuhi standar ketat industri semikonduktor. Ingot ini diproduksi dengan fokus pada kemurnian dan konsistensi, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi berdaya tinggi dan frekuensi tinggi yang mengutamakan kinerja.
Sifat unik dari ingot SiC ini, termasuk konduktivitas termal yang tinggi dan resistivitas listrik yang sangat baik, menjadikannya sangat cocok untuk digunakan dalam elektronika daya dan perangkat gelombang mikro. Sifat semi-isolasinya memungkinkan pembuangan panas yang efektif dan gangguan listrik yang minimal, sehingga menghasilkan komponen yang lebih efisien dan andal.
Semicera menggunakan proses manufaktur canggih untuk menghasilkan ingot dengan kualitas dan keseragaman kristal yang luar biasa. Ketepatan ini memastikan bahwa setiap ingot dapat digunakan secara andal dalam aplikasi sensitif, seperti amplifier frekuensi tinggi, dioda laser, dan perangkat optoelektronik lainnya.
Tersedia dalam ukuran 4 inci dan 6 inci, ingot SiC Semicera memberikan fleksibilitas yang diperlukan untuk berbagai skala produksi dan kebutuhan teknologi. Baik untuk penelitian dan pengembangan atau produksi massal, ingot ini memberikan kinerja dan daya tahan yang dibutuhkan sistem elektronik modern.
Dengan memilih Ingot SiC Semi-Insulasi Kemurnian Tinggi Semicera, Anda berinvestasi pada produk yang menggabungkan ilmu material tingkat lanjut dengan keahlian manufaktur yang tak tertandingi. Semicera berdedikasi untuk mendukung inovasi dan pertumbuhan industri semikonduktor, menawarkan material yang memungkinkan pengembangan perangkat elektronik mutakhir.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
