Substrat Wafer Poles Sisi Ganda SiC 4 Inci Kemurnian Tinggi (HPSI) Semicera dibuat untuk memenuhi permintaan industri semikonduktor. Substrat ini dirancang dengan kerataan dan kemurnian luar biasa, menawarkan platform optimal untuk perangkat elektronik mutakhir.
Wafer HPSI SiC ini dibedakan berdasarkan konduktivitas termal dan sifat insulasi listriknya yang unggul, menjadikannya pilihan tepat untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi. Proses pemolesan dua sisi memastikan kekasaran permukaan minimal, yang sangat penting untuk meningkatkan kinerja dan umur panjang perangkat.
Kemurnian tinggi wafer SiC Semicera meminimalkan cacat dan kotoran, sehingga menghasilkan tingkat hasil dan keandalan perangkat yang lebih tinggi. Substrat ini cocok untuk berbagai aplikasi, termasuk perangkat gelombang mikro, elektronika daya, dan teknologi LED, yang mengutamakan presisi dan daya tahan.
Dengan fokus pada inovasi dan kualitas, Semicera menggunakan teknik manufaktur canggih untuk menghasilkan wafer yang memenuhi persyaratan ketat elektronik modern. Pemolesan dua sisi tidak hanya meningkatkan kekuatan mekanik tetapi juga memfasilitasi integrasi yang lebih baik dengan bahan semikonduktor lainnya.
Dengan memilih Substrat Wafer Poles Dua Sisi HPSI SiC Semi-Insulasi Kemurnian Tinggi 4 Inci dari Semicera, produsen dapat memanfaatkan manfaat manajemen termal dan insulasi listrik yang ditingkatkan, membuka jalan bagi pengembangan perangkat elektronik yang lebih efisien dan bertenaga. Semicera terus memimpin industri dengan komitmennya terhadap kualitas dan kemajuan teknologi.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
