Ingot SiC tipe N 4", 6", dan 8" dari Semicera mewakili terobosan dalam bahan semikonduktor, yang dirancang untuk memenuhi permintaan sistem elektronik dan tenaga modern yang semakin meningkat. Ingot ini memberikan fondasi yang kuat dan stabil untuk berbagai aplikasi semikonduktor, memastikan optimal kinerja dan umur panjang.
Ingot SiC tipe N kami diproduksi menggunakan proses manufaktur canggih yang meningkatkan konduktivitas listrik dan stabilitas termalnya. Hal ini menjadikannya ideal untuk aplikasi berdaya tinggi dan frekuensi tinggi, seperti inverter, transistor, dan perangkat elektronik daya lainnya yang mengutamakan efisiensi dan keandalan.
Doping yang tepat pada ingot ini memastikan bahwa ingot tersebut menawarkan kinerja yang konsisten dan berulang. Konsistensi ini sangat penting bagi pengembang dan produsen yang mendorong batas-batas teknologi di bidang-bidang seperti dirgantara, otomotif, dan telekomunikasi. Ingot SiC Semicera memungkinkan produksi perangkat yang beroperasi secara efisien dalam kondisi ekstrem.
Memilih Ingot SiC tipe N Semicera berarti mengintegrasikan material yang dapat menangani suhu tinggi dan beban listrik tinggi dengan mudah. Ingot ini sangat cocok untuk membuat komponen yang memerlukan manajemen termal yang sangat baik dan pengoperasian frekuensi tinggi, seperti amplifier RF dan modul daya.
Dengan memilih Ingot SiC tipe N 4", 6", dan 8" N, Anda berinvestasi pada produk yang menggabungkan sifat material luar biasa dengan presisi dan keandalan yang dituntut oleh teknologi semikonduktor mutakhir. Semicera terus memimpin industri dengan memberikan solusi inovatif yang mendorong kemajuan manufaktur perangkat elektronik.
| Barang | Produksi | Riset | Contoh |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe-n | ||
| Resistivitas | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Diameter | 150,0±0,2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 m | ||
| Orientasi datar primer | [1-100]±5° | ||
| Panjang datar primer | 47,5±1,5mm | ||
| Flat sekunder | Tidak ada | ||
| TV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 m(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Busur | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Melengkung | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran depan (Si-wajah) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kepadatan pipa mikro | <1 buah/cm2 | <10 buah/cm2 | <15 buah/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 unit/cm2 | ≤3000 unit/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unit/cm2 | ≤1000 unit/cm2 | NA |
| Kualitas Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Permukaan akhir | CMP wajah-si | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0,3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit jeruk/lubang/noda/goresan/retakan/kontaminasi | Tidak ada | NA | |
| Keripik tepi/lekukan/patah/pelat segi enam | Tidak ada | ||
| Daerah politipe | Tidak ada | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Penandaan laser depan | Tidak ada | ||
| Kualitas Kembali | |||
| Selesai kembali | CMP wajah C | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Cacat bagian belakang (pinggiran/lekukan tepi) | Tidak ada | ||
| Kekasaran punggung | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepian | |||
| Tepian | Talang | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-ready dengan kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| *Catatan： "NA" berarti tidak ada permintaan. Item yang tidak disebutkan mungkin mengacu pada SEMI-STD. | |||
