Perahu Wafer

Deskripsi Singkat:

Perahu wafer adalah komponen kunci dalam proses pembuatan semikonduktor. Semiera mampu menyediakan perahu wafer yang dirancang dan diproduksi khusus untuk proses difusi, yang berperan penting dalam pembuatan sirkuit terintegrasi tinggi. Kami berkomitmen kuat untuk menyediakan produk dengan kualitas terbaik dengan harga bersaing dan berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Keuntungan

Ketahanan oksidasi suhu tinggi
Ketahanan korosi yang sangat baik
Ketahanan abrasi yang baik
Koefisien konduktivitas panas yang tinggi
Pelumasan sendiri, kepadatan rendah
Kekerasan tinggi
Desain yang disesuaikan.

Aplikasi

-Bidang tahan aus: bushing, pelat, nosel sandblasting, lapisan siklon, laras gerinda, dll...
-Bidang Suhu Tinggi: Pelat siC, Tabung Tungku Pendinginan, Tabung Radiant, wadah, Elemen Pemanas, Roller, Balok, Penukar Panas, Pipa Udara Dingin, Nosel Pembakar, Tabung Pelindung Termokopel, Perahu SiC, Struktur Mobil Kiln, Setter, dll.
-Semikonduktor Silikon Karbida: Perahu wafer SiC, sic chuck, sic dayung, kaset sic, tabung difusi sic, garpu wafer, pelat hisap, jalur pemandu, dll.
-Bidang Segel Silikon Karbida: semua jenis cincin penyegel, bantalan, bushing, dll.
-Bidang Fotovoltaik: Dayung Kantilever, Barel Gerinda, Rol Silikon Karbida, dll.
-Bidang Baterai Lithium

WAFER (1)

WAFER (2)

Sifat Fisik SiC

Milik	Nilai	Metode
Kepadatan	3,21 gram/cc	Tenggelam-mengapung dan dimensi
Panas spesifik	0,66 J/g °K	Lampu kilat laser berdenyut
Kekuatan lentur	450 MPa560 MPa	Tikungan 4 titik, tikungan titik RT4, 1300°
Ketangguhan patah	2,94 MPa m1/2	Mikroindentasi
Kekerasan	2800	Vicker's, beban 500g
Modulus Elastis Modulus Young	450 IPK430 IPK	tikungan 4 pt, tikungan RT4 pt, 1300 °C
Ukuran butir	2 – 10 mikron	SEM

Sifat Termal SiC

Konduktivitas Termal	250 W/m°K	Metode flash laser, RT
Ekspansi Termal (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Suhu ruangan 950 °C, dilatometer silika

Parameter Teknis

Barang	Satuan	Data
Barang	Satuan	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
konten SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Konten silikon gratis	%	15	0	0	0	0
Suhu servis maksimal	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Kepadatan	gram/cm³	3.02	2.75-2.85	3.08-3.16	2.65-2.75	2.75-2.85
Porositas terbuka	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Kekuatan lentur 20℃	Ayah	250	160	380	100	/
Kekuatan lentur 1200℃	Ayah	280	180	400	120	/
Modulus elastisitas 20℃	IPK	330	580	420	240	/
Modulus elastisitas 1200℃	IPK	300	/	/	200	/
Konduktivitas termal 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Koefisien ekspansi termal	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Lapisan silikon karbida CVD pada permukaan luar produk keramik silikon karbida rekristalisasi dapat mencapai kemurnian lebih dari 99,9999% untuk memenuhi kebutuhan pelanggan di industri semikonduktor.